[實用新型]一種基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器有效
| 申請號: | 201921634905.9 | 申請日: | 2019-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN210428000U | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 張曉萌;余觀夏;朱劍剛;梅長彤;趙莉 | 申請(專利權)人: | 南京林業大學 |
| 主分類號: | G02F1/095 | 分類號: | G02F1/095;G02F1/017;G02B6/122 |
| 代理公司: | 南京思拓知識產權代理事務所(普通合伙) 32288 | 代理人: | 苗建 |
| 地址: | 210037 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 介質 pt 對稱 結構 通道 信號 選擇器 | ||
1.一種基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,包括介質基板和設置在所述的介質基板上的介質柱陣列,其特征在于,所述的介質柱陣列包括第一陣列(1)、第二陣列(2)、第三陣列(3)、第四陣列(4)、第五陣列(5)、第六陣列(6)和第七陣列(7),所述的第一陣列(1)和第三陣列(3)對稱地設置在所述的介質基板的兩端,所述的第二陣列(2)設置在所述的第一陣列(1)和第三陣列(3)之間,所述的第四陣列(4)和第五陣列(5)設置在所述的第一陣列(1)與第二陣列(2)之間,所述的第四陣列(4)和第五陣列(5)之間設有第一通道(8),所述的第六陣列(6)和第七陣列(7)設置在所述的第二陣列(2)與第三陣列(3)之間,所述的第六陣列(6)和第七陣列(7)之間設有第二通道(9),第四陣列(4)和第五陣列(5)、第六陣列(6)和第七陣列(7)分別組成宇稱-時間對稱結構,所述的第一陣列(1)、第二陣列(2)和第三陣列(3)為正方晶格結構,所述的第四陣列(4)、第五陣列(5)、第六陣列(6)和第七陣列(7)為單排結構。
2.根據權利要求1所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,所述的正方晶格結構的晶格常數為a,其中介質柱的半徑為0.125a;所述的單排結構的介質柱間距為a,其中介質柱的半徑為0.24a;所述的第一通道(8)和第二通道(9)的寬度均為1.5a。
3.根據權利要求2所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,a為100nm。
4.根據權利要求1所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,第一陣列(1)、第二陣列(2)和第三陣列(3)均由磁光子晶體圓柱組成。
5.根據權利要求4所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,所述的磁光子晶體圓柱為鐵氧體釔鐵石榴石,在外加磁場下其相對介電常數為15ε0,ε0為真空介電常數,相對磁導率為張量形式,μ1=14,μ2=12.4,i是虛數單位。
6.根據權利要求1所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,第四陣列(4)和第六陣列(6)均由loss圓柱組成,第五陣列(5)和第七陣列(7)均由gain圓柱組成,所述的loss圓柱對入射光產生衰減作用,所述的gain圓柱對入射光產生增益作用。
7.根據權利要求6所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,所述的loss圓柱和gain圓柱的材質為InGaAsP量子阱半導體。
8.根據權利要求6或7所述的基于磁光介質與PT對稱結構的多通道信號選擇器,其特征在于,所述的loss圓柱的相對介電常數ε2=9ε0+0.5i,所述的gain圓柱的相對介電常數ε2=9ε0-0.5i,i為虛數單位,ε0為真空介電常數,loss圓柱和gain圓柱的相對磁導率為1。
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