[實用新型]能量計量裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921621390.9 | 申請日: | 2019-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN211043504U | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魯其墻;葉王建;任鵬;任鑫鑫;廖冠堯 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R22/10 | 分類號: | G01R22/10 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 曹蓓;許蓓 |
| 地址: | 519070*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 能量 計量 裝置 | ||
本公開提出一種能量計量裝置,涉及電能監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域。本公開的一種能量計量裝置包括:與被測電源連接,采集被測電路的電流值和電壓值的采集裝置;與采集裝置信號連接的編碼單元,將采集裝置采集的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號編碼,并發(fā)送給判斷單元;與編碼單元信號連接的判斷單元,根據(jù)數(shù)字信號編碼的過零點數(shù)量確定激活交流電計量單元或直流電計量單元根據(jù)數(shù)字信號編碼進(jìn)行能量計量;統(tǒng)計交流電的計量參數(shù)的交流電計量單元;和統(tǒng)計直流電的計量參數(shù)的直流電計量單元。這樣的能源計量裝置能夠?qū)⒉杉臄?shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號,并判斷確定電源為直流或交流,進(jìn)而選擇對應(yīng)的能源計量方式,從而能夠在能源切換的情況下實時切換計量方式,提高了能源計量的自適應(yīng)程度。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及電能監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種能量計量裝置。
背景技術(shù)
能源計量一般包括對電能、風(fēng)能、內(nèi)能等一系列能量的計量,計量的目的是為了能夠?qū)崟r的獲取各種能源的信息,其中電能的計量最為常見。在市場上的主流計量產(chǎn)品大多是對交流220V市電的計量。
實用新型內(nèi)容
本公開的一個目的在于提高能量計量的自適應(yīng)能力和擴(kuò)展應(yīng)用范圍。
根據(jù)本公開的一個方面,提出一種能量計量裝置,包括:與采集裝置信號連接的編碼單元,將采集裝置采集的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號編碼,并發(fā)送給判斷單元;與編碼單元信號連接的判斷單元,根據(jù)數(shù)字信號編碼的過零點數(shù)量確定激活交流電計量單元或直流電計量單元根據(jù)數(shù)字信號編碼進(jìn)行能量計量;統(tǒng)計交流電的計量參數(shù)的交流電計量單元;和統(tǒng)計直流電的計量參數(shù)的直流電計量單元。
在一些實施例中,編碼單元、判斷單元、交流電計量單元和直流電計量單元位于主芯片。
在一些實施例中,能量計量裝置還包括:與被測電源和主芯片連接的第一供電單元,將被測電源的電壓轉(zhuǎn)化為主芯片的工作電壓,并提供給主芯片。
在一些實施例中,能量計量裝置還包括接收交流電計量單元或直流電計量單元的能源計量結(jié)果并發(fā)送的無線交互模塊。
在一些實施例中,能量計量裝置還包括:位于被測電源的供電電路,控制供電電路通斷的開關(guān)單元;開關(guān)單元的開關(guān)控制端與主芯片連接;主芯片還向開關(guān)單元發(fā)送第一電平或第二電平的電信號,以控制開關(guān)單元的通斷。
在一些實施例中,能量計量裝置還包括:與主芯片信號連接信號提供單元,向主芯片發(fā)送第一電平或第二電平的電信號;主芯片將來自信號提供電源的電信號發(fā)送給開關(guān)單元的開關(guān)控制端。
在一些實施例中,能量計量裝置還包括:與被測電源和開關(guān)單元連接的第二供電單元,將被測電源的電壓轉(zhuǎn)化為開關(guān)單元的工作電壓,并提供給開關(guān)單元。
在一些實施例中,開關(guān)單元包括:第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管,第一NMOS晶體管的柵極與開關(guān)控制端連通,第一NMOS晶體管的漏極與P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS晶體管的柵極連接,第一NMOS晶體管的源極連接第一地;PMOS晶體管,PMOS晶體管的漏極與第一供電電壓連接,PMOS晶體管的源極與第二NMOS晶體管的柵極和第三NMOS晶體管的柵極分別連接;第二NMOS晶體管,第二NMOS晶體管的漏極與第一輸入端連接,第二NMOS晶體管的源極連接第一地;第三NMOS晶體管,第三NMOS晶體管的漏極與第一輸出端連接,第三NMOS晶體管的源極連接第一地,其中,第一輸入端與第一輸出端之間用于連接負(fù)載支路。
在一些實施例中,開關(guān)單元還包括:隔離信號芯片,信號輸入端與開關(guān)控制端連接,信號輸出端與第一NMOS晶體管的柵極連接,其輸入側(cè)接地端與第二地連接,其輸出側(cè)接地端與第一地連接。
在一些實施例中,隔離信號芯片的電壓輸入端和電壓輸出端都與第二供電電壓連接,第二供電電壓與隔離信號芯片的輸入側(cè)接地端和輸出側(cè)接地端之間分別接入濾波電容;或,隔離信號芯片的信號輸入端與電壓輸入端之間以及信號輸出端與電壓輸出端之間都接入上拉電阻。
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