[實用新型]基于平面S型結的耐高壓元件

有效

• 申請號: 201921614311.1
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN210866180U
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 潘旭捷;曲迪
• 申請（專利權）人: 華慧高芯科技(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101
• 代理人: 蒙建軍

1.一種基于平面S型結的耐高壓元件，其特征在于：至少包括：

單晶硅片(1013)，所述單晶硅片(1013)的厚度范圍是400～600um；

位于單晶硅片(1013)上側的第二導電類型輕摻層(1022)；所述第二導電類型輕摻層(1022)包括M條相互平行的導電類型輕摻層，所述導電類型輕摻層為條形結構，其中：第N條導電類型輕摻層的尾部與第N+1條導電類型輕摻層的尾部連通；第N+1條導電類型輕摻層的頭部與第N+2條導電類型輕摻層的頭部連通；M為大于2的自然數，N為奇數；N小于M；每條導電類型輕摻層的兩側為第一絕緣層(1011)；

位于第二導電類型輕摻層(1022)一端的第一導電類型重摻雜層(1021)；

位于第二導電類型輕摻層(1022)另一端的第二導電類型重摻層(1023)；

與所述第一導電類型重摻雜層(1021)連接的第一電極；

與所述第二導電類型重摻層(1023)連接的第二電極；所述第二導電類型輕摻層(1022)、第一絕緣層(1011)、第一導電類型重摻雜層(1021)和第二導電類型重摻層(1023)位于同一平面內；所述第一電極平行于上述導電類型輕摻層；所述第二電極平行于上述導電類型輕摻層；

位于所述平面上的第二絕緣層(1012)。

2.根據權利要求1所述基于平面S型結的耐高壓元件，其特征在于：

上述第一導電類型重摻雜層(1021)為P型或N型或肖特基金屬層。

3.根據權利要求1所述基于平面S型結的耐高壓元件，其特征在于：

上述第二導電類型重摻層(1023)為P型或N型或肖特基金屬層。

4.根據權利要求1所述基于平面S型結的耐高壓元件，其特征在于：

所述第二導電類型輕摻層(1022)為P型或N型。

5.根據權利要求1所述基于平面S型結的耐高壓元件，其特征在于：

上述第一電極和/或第二電極為Al或Ti或Ni或Ag或Cu或Au或W或多個組合。