[實用新型]半導體激光器

有效

• 申請號: 201921577959.6
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN210490085U
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 周少豐;劉鵬;陳丕新
• 申請（專利權）人: 深圳市星漢激光科技有限公司
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;G02B27/28;H01S5/00;G02B27/09
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 許銓芬

1.一種半導體激光器，其特征在于，包括：

光束耦合結構，所述光束耦合結構包括相位延遲片和偏振耦合器，所述偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，所述相位延遲片位于所述第一入射方向；

至少兩個出光單元，所述出光單元包括激光芯片、快軸準直透鏡和慢軸準直透鏡，所述激光芯片的出射光束依次經過所述快軸準直透鏡和所述慢軸準直透鏡，并入射至所述光束耦合結構，其中，一部分所述出光單元的出射光束經所述相位延遲片后，沿所述第一入射方向入射至所述偏振耦合器，另一部分所述出光單元的出射光束沿所述第二入射方向入射至所述偏振耦合器。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一入射方向和所述第二入射方向分別對應設置有相同數量的所述出光單元的出射光束。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器還包括第一反射鏡，所述激光芯片發射的光束依次經過所述快軸準直透鏡和所述慢軸準直透鏡，并入射至所述第一反射鏡，改變光路方向后，入射至所述光束耦合結構。

4.根據權利要求3所述的半導體激光器，其特征在于，所述出光單元包括有合束反射鏡、多個所述激光芯片以及與多個所述激光芯片分別一一對應的多個所述快軸準直透鏡、多個慢軸準直透鏡和多個所述第一反射鏡，每一所述激光芯片的發射光束依次經過一個所述快軸準直透鏡、一個所述慢軸準直透鏡和一個所述第一反射鏡，并入射至所述合束反射鏡，其中多個所述激光芯片的發射光束在所述合束反射鏡上合并，改變光路方向后，入射至所述光束耦合結構。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器還包括輸出光纖，所述光束耦合結構還包括聚焦透鏡，所述偏振耦合器的出射光束經所述聚焦透鏡聚焦，并耦合入射至所述輸出光纖的輸入端。

6.根據權利要求5所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器還包括封裝基體，所述封裝基體將所述光束耦合結構、所述至少兩個出光單元和所述輸出光纖的輸入端固定耦合封裝于一體，以構成封裝體結構。

7.根據權利要求6所述的半導體激光器，其特征在于，所述封裝基體包括基底和多個凸臺，多個所述凸臺設置于所述基底，其中每一個所述第一反射鏡對應設置于一個所述凸臺。

8.根據權利要求7所述的半導體激光器，其特征在于，多個所述凸臺是呈階梯狀分布。

9.根據權利要求7所述的半導體激光器，其特征在于，一個所述凸臺設置有一個所述激光芯片、一個快軸準直透鏡、一個慢軸準直透鏡和一個第一反射鏡。

10.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述快軸準直透鏡和所述慢軸準直透鏡之間的位置是相互可調的。