[實用新型]電極保護裝置

有效

• 申請號: 201921576498.0
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號: CN210296287U
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 張軍;沈吉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04;H01J37/02;H01J37/30
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本實用新型提供了一種電極保護裝置，用于保護一等離子刻蝕設備的上電極，包括：絕緣環，套設在所述上電極的外側；遮蔽環，位于所述上電極的上方且在所述絕緣環的內環面內，所述遮蔽環的環面至少遮蓋所述上電極的頂部。利用遮蔽環實現對上電極邊緣的保護，避免了上電極邊緣因受到電磁波和電場的影響而被刻蝕。整個裝置結構簡單，易于實現。

技術領域

本實用新型涉及半導體設備技術領域，尤其涉及一種電極保護裝置。

背景技術

在半導體生產中，干法刻蝕時是用來去除表面材料的刻蝕方法。干法刻蝕一般在等離子刻蝕設備中進行，當氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點：一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。離子刻蝕設備的工作原理是：在真空低氣壓下，射頻電源產生的射頻輸出到上電極，以一定比例混合的刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，使得基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片。上電極一般為電感線圈，所述電感線圈的表面環繞設置有絕緣環，但是電感線圈的上部邊緣容易受到電磁波與電場的影響，進而被等離子體刻蝕，因此，需要研究一種保護裝置來保護等離子刻蝕設備的上電極的邊緣。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種電極保護裝置，用于保護等離子刻蝕設備的上電極的邊緣，避免所述上電極邊緣因受到電磁波與電場的影響而被刻蝕。

為了達到上述目的，本實用新型提供了一種電極保護裝置，用于保護一等離子刻蝕設備的上電極，所述上電極呈環形，包括：

絕緣環，套設在所述上電極的外側；

遮蔽環，位于所述上電極的上方且在所述絕緣環的內環面內，所述遮蔽環的環面至少遮蓋所述上電極的頂部。

可選的，所述遮蔽環靠近所述上電極的表面上設置有環形凸脊。

可選的，所述電極保護裝置還包括沿所述絕緣環的內環面周向設置的若干連接件，所述遮蔽環的外環面通過所述連接件與所述絕緣環的內環面可拆卸連接。

可選的，所述連接件沿所述絕緣環的內環面均勻分布。

可選的，所述連接件包括螺柱及螺帽，所述螺柱的一端與所述螺帽螺紋連接，所述絕緣環的內環面上設置有若干螺紋孔，所述螺柱的另一端旋入所述螺紋孔以連接所述絕緣環，所述螺帽的頭部封閉且設置有一卡槽，所述遮蔽環的外環面卡入所述卡槽內以連接所述連接件。

可選的，所述螺柱的兩端分別為第一端及第二端，所述第一端及第二端沿所述螺柱的軸向均設置有外螺紋，且所述第一端的外螺紋的外徑大于所述第二端外螺紋的外徑，所述螺帽的一端設置有與所述第二端外螺紋相匹配的內螺紋。

可選的，所述螺柱的材質為耐磨陶瓷。

可選的，所述卡槽的槽口方向平行于所述遮蔽環所在的表面。

可選的，所述絕緣環的材質為石英或陶瓷。

可選的，所述上電極為電感線圈。

本實用新型提供了一種電極保護裝置，用于保護一等離子刻蝕設備的上電極，包括：絕緣環，套設在所述上電極的外側；遮蔽環，位于所述上電極的上方且在所述絕緣環的內環面內，所述遮蔽環的環面至少遮蓋所述上電極的頂部。利用遮蔽環對上電極的邊緣進行保護，避免上電極的邊緣因受到電場和磁場的影響而被刻蝕，整個裝置結構簡單，易于實現。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種電極保護裝置的結構示意圖；