[實用新型]一種防反保護電路裝置

有效

• 申請號: 201921568165.3
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號: CN210444015U
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 高金奎;劉飛飛;鄭兵強
• 申請（專利權）人: 無錫麥道電子科技有限公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00;B60R16/02
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227
• 代理人: 張寧;楊辰

1.一種防反保護電路裝置，其包括電池、金屬-氧化物半導體場效應晶體管M1，其特征在于，其還包括單片機U，所述電池通過保護電路與所述單片機U連接，所述電池用于給所述單片機供電，所述保護電路包括濾波電路、分壓電路，所述濾波電路包括電容C1、C2，所述分壓電路包括電阻R1、R2，所述電池的輸出端VBAT分別連接二極管D1的陰極、電容C1的一端、電阻R1的一端、所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管M1的源極，所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管M1的柵極分別連接所述電容C1的另一端、電阻R1的另一端、電阻R2的一端、三級管Q1的集電極，三極管Q1的發射極連接所述二極管D1的陽極，所述電阻R2的另一端分別連接電容C2、C3的一端、單片機U的2管腳，所述三極管Q1的基極分別連接所述電容C2的另一端、電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端、電容C3的另一端、單片機U的39管腳連接接地端GND，所述單片機的47管腳、金屬-氧化物半導體場效應晶體管M1的漏極連接防反后端電壓VDH，所述單片機U內設置有升壓模塊，所述升壓模塊用于將電壓升高，再通過2管腳VCP輸出，所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管M1為N溝道型。

2.根據權利要求1所述的一種防反保護電路裝置，其特征在于，所述單片機U內封裝有二極管D2，所述單片機U的2管腳連接所述二極管D2的陰極，所述二極管D2的陽極通過所述單片機的39管腳接地。