[實用新型]一種矩陣式整流電子產品的預加熱裝置有效
| 申請號: | 201921560418.2 | 申請日: | 2019-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN210429753U | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 強紅娣;王秋旭 | 申請(專利權)人: | 揚州虹揚科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 潘云峰 |
| 地址: | 225116 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 矩陣 整流 電子產品 加熱 裝置 | ||
本實用新型公開一種矩陣式整流電子產品的預加熱裝置,包括底部支架、下加熱平臺和上加熱平臺,下加熱平臺通過螺栓安裝在底部支架上,且下加熱平臺上設置有加熱棒,下加熱平臺的四角均固定安裝有導向柱,上加熱平臺滑動安裝在導向柱上,底部支架下方豎直安裝有升降氣缸,升降氣缸的活塞桿穿過下加熱平臺后與上加熱平臺的底部連接,本實用新型解決了現有技術中預熱方式會影響電子產品性能的技術問題。
技術領域
本實用新型涉及電子產品封裝技術領域,尤其涉及一種矩陣式整流電子產品的預加熱裝置。
背景技術
在電子產品封裝領域,針對矩陣式整流橋產品在封裝前分為預熱與不預熱兩種,而業界預熱的方法大都是參照塑封模的溫度來設定預熱臺的溫度,然后直接將攜料架放在預熱臺上,再逐片將待封裝產品放于攜料架預熱,這樣框架片與其攜帶的晶粒會短時間內從室溫升至150度以上高溫,晶粒瞬間受到自身與框架熱膨脹帶來的熱應力沖擊,框架也會由于預熱時間不一致產生不同程度氧化,而且這種預熱方式時間較長難以受控,所以一般會導致框架嚴重氧化,導致與塑封料結合力差,即出現氣密性差、可靠性等隱患。如果不預熱,則由于熱膨脹因素而導致框架片壓線,即塑封時模具壓到引線表面,同時晶粒同樣瞬間受到自身與框架熱鼓脹帶來熱應力沖擊,同樣會產生氣密性差、可靠性等隱患。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種矩陣式整流電子產品的預加熱裝置,解決了現有技術中的預熱方式會影響電子產品性能的技術問題。
一種矩陣式整流電子產品的預加熱裝置,包括底部支架、下加熱平臺和上加熱平臺,所述下加熱平臺通過螺栓安裝在底部支架上,且下加熱平臺上設置有加熱棒,所述下加熱平臺的四角均固定安裝有導向柱,所述上加熱平臺滑動安裝在導向柱上,所述底部支架下方豎直安裝有升降氣缸,所述升降氣缸的活塞桿穿過所述下加熱平臺后與上加熱平臺的底部連接。
本實用新型一個預熱裝置,分成兩個部分,其中上加熱平臺在升降氣缸的帶動下沿著導向柱上下移動,這樣能夠調整上加熱平臺和下加熱平臺之間的間距,能夠保證上加熱平臺的溫度不會太高,也便于實現兩段加熱,從而能夠提高預加熱效果。
在上述技術方案的基礎上,本實用新型還可以做如下改進:
進一步地,所述升降氣缸為兩個,且升降氣缸沿X軸方向間隔設置,采用本步的有益效果是通過升降氣缸能夠使得上加熱平臺兩側受力,保證上加熱平臺移動的穩定性。
進一步地,所述底部支架四周安裝有擋板,所述擋板、上加熱平臺的底面和下加熱平臺的上表面圍繞組合形成加熱區,采用本步的有益效果是通過擋板圍繞形成一個區域用于加熱。
進一步地,所述擋板的內壁和上加熱平臺的側面接觸,采用本步的有益效果是便于形成相對封閉的空間進行加熱。
進一步地,每塊所述擋板均間隔開設有兩個豁口,采用本步的有益效果是通過豁口能夠便于對加熱框架進行限位,從而能夠實現上加熱平臺運動時,加熱框架不會大幅度晃動。
進一步地,所述上加熱平臺上方安裝溫控器,所述加熱棒與溫控器電連接,所述溫控器電連接有定時器,采用本步的有益效果是通過溫控器和定時器能夠進行時間和溫度的控制。
一種矩陣式整流電子產品的生產方法,包括如下步驟:
S1:將待處理電子產品通過上述矩陣式整流電子產品預加熱裝置進行兩次預熱;
S2:預熱完成后,進行塑封和烘烤,制得成品。
其中,所述步驟S1的兩次預熱步驟如下:
S101:將待處理電子產品放置在加熱框架上,然后將加熱框架放置在上加熱平臺上;
S102:將定時器接通電源,設定工作時間為t1,設定溫控器導通溫度為 T1,斷開溫度為T2,對待處理電子產品進行第一次預熱;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





