[實用新型]一種基于太赫茲超材料的微流控芯片有效
| 申請號： | 201921560002.0 | 申請日： | 2019-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN210935016U | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發明（設計）人： | 陶進杰;郎婷婷;王鋼棋 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00;C12N5/00;C12M1/34;C12M1/00;C12Q1/02;G01N21/84 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 赫茲 材料 微流控 芯片 | ||
1.一種基于太赫茲超材料的微流控芯片，包括芯片本體，其特征在于，所述芯片本體上開設有樣品池(1)、清洗池(3)、測量室(5)以及廢液池(7)；所述樣品池(1)與所述測量室(5)之間通過流入通道(2)連通；所述清洗池(3)與所述測量室(5)之間通過清洗通道(4)相連通；所述廢液池(7)與所述測量室(5)之間通過流出通道(6)相連通；所述測量室(5)包括基底層(11)和涂覆于所述基底層(11)上的傳感層(10)；所述傳感層(10)為超材料亞波長金屬周期陣列；所述流入通道(2)、清洗通道(4)和流出通道(6)構成微流通道。
2.根據權利要求1所述的基于太赫茲超材料的微流控芯片，其特征在于，所述微流通道均采用聚二甲基硅氧烷材料制備而成。
3.根據權利要求1所述的基于太赫茲超材料的微流控芯片，其特征在于，整個所述微流通道的結構呈Y字型。
4.根據權利要求1所述的基于太赫茲超材料的微流控芯片，其特征在于，所述傳感層(10)亞波長金屬周期陣列的單個周期結構由一個x方向長方形片和兩個y方向長方形片組成；周期尺寸Px＝120μm，Py＝120μm,基底厚度h＝50μm，x方向長方形片的寬w1＝20μm,x方向長方形片的長L1＝180μm，y方向兩長方形片的長L2＝L3＝85μm,寬w2＝w3＝20μm,y方向兩長方形片分別與x方向長方形片相隔g1＝3μm,g2＝10μm，傳感層(10)的厚度t＝0.4μm。
5.根據權利要求4所述的基于太赫茲超材料的微流控芯片，其特征在于，基底層(11)為高阻硅材料層；所述傳感層(10)為金屬金層。
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