[實用新型]一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件

有效

• 申請號: 201921548052.7
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN210778610U
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 姚金才;陳宇;朱超群
• 申請（專利權）人: 深圳愛仕特科技有限公司
• 主分類號: H01L29/16
• 分類號: H01L29/16;H01L29/45;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 深圳倚智知識產權代理事務所(普通合伙) 44632
• 代理人: 霍如肖

1.一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，包括自下而上依次設置的背面漏極金屬(13)、碳化硅襯底(1)和碳化硅外延層(2)，其特征在于：所述碳化硅外延層(2)上方內部設置有兩組對稱布設的p阱(6)，所述p阱(6)內部中間部位設置有由第一次自對準工藝得到的源極接觸n+區域(7)，所述源極接觸n+區域(7)內部中間部位設置有由第二次自對準工藝得到的源極接觸p+區域(8)，所述碳化硅外延層(2)上表面上設置有第一絕緣柵介質層(9)，所述第一絕緣柵介質層(9)上設置有柵電極(10)，所述第一絕緣柵介質層(9)和柵電極(10)上設置有開孔(90)，所述柵電極(10)上和開孔(90)的側壁上設置有第二絕緣柵介質層(11)，所述第二絕緣柵介質層(11)上設置有源極接觸孔(110)，所述源極接觸孔(110)內設置有源極金屬(12)，所述源極金屬(12)位于源極接觸n+區域(7)和源極接觸p+區域(8)的上方。

2.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述源極接觸p+區域(8)的深度高于源極接觸n+區域(7)而低于p阱(6)。

3.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述第一絕緣柵介質層(9)完全覆蓋源極接觸n+區域(7)的一部分，且與源極接觸p+區域(8)之間留有間距。

4.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述第一絕緣柵介質層(9)是由熱氧化工藝得到的氧化硅層。

5.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述柵電極(10)完全覆蓋在第一絕緣柵介質層(9)上。

6.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述柵電極(10)為多晶硅層。

7.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述源極接觸孔(110)與開孔(90)共中心線。

8.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述源極金屬(12)完全覆蓋源極接觸p+區域(8)，且且部分覆蓋源極接觸n+區域(7)。

9.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述背面漏極金屬(13)的總厚度大于1μm。

10.根據權利要求1所述的一種具有p+區域自對準工藝的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述背面漏極金屬(13)為由金屬材料TiNiAg、VNiAg、TiNiAu、VNiAu中的一種或任意幾種組合而成的淀積層。