[實用新型]發光二極管芯片及發光二極管

有效

• 申請號: 201921532715.6
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN210325841U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 劉珊珊;紀思美;陳順利;李士濤
• 申請（專利權）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 傅康

本申請涉及一種發光二極管芯片及發光二極管。其中，發光二極管芯片包括依次疊層設置的反射層、犧牲層、襯底、N半導體層、發光層和P半導體層。所述犧牲層包括疊層設置的第一犧牲層和第二犧牲層，所述第一犧牲層設置于所述反射層和所述第二犧牲層之間，所述第二犧牲層設置于第一犧牲層和所述襯底之間，且所述第一犧牲層的折射率大于所述第二犧牲層的折射率。本申請提供的所述發光二極管芯片的亮度較高。

技術領域

本申請涉及發光二極管領域，特別是涉及一種發光二極管芯片及發光二極管。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)是一種能夠將電能轉化為光能的半導體組件，具有節能、環保、壽命長、體積小等特點，廣泛的應用于背光源、照明、面板等領域。在大部分的應用中，LED芯片都只要求具備180°發光面即可。為了提高發光二極管的發光效率，通常會在LED芯片的背面制備反射層。反射層一般使用金屬、布拉格反射鏡，或者兩者的疊加來達到高反射率的目的。

傳統技術中，LED芯片的制備方法是在襯底的表面依次形成N半導體層、發光層和P半導體層，之后，在襯底遠離N半導體層的表面形成反射層。

然而，這樣的LED芯片存在亮度低的問題。

實用新型內容

基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種發光二極管芯片及發光二極管。

一種發光二極管芯片，包括依次疊層設置的反射層、襯底、N半導體層、發光層和P半導體層；

所述發光二極管芯片還包括犧牲層，所述犧牲層包括疊層設置的第一犧牲層和第二犧牲層，所述第一犧牲層設置于所述反射層和所述第二犧牲層之間，所述第二犧牲層設置于所述第一犧牲層和所述襯底之間，且所述第一犧牲層的折射率大于所述第二犧牲層的折射率。

在其中一個實施例中，所述第一犧牲層的厚度為50nm-100nm，所述第二犧牲層的厚度為50nm-500nm。

在其中一個實施例中，所述第一犧牲層的厚度為75nm，所述第二犧牲層的厚度為100nm。

在其中一個實施例中，所述反射層包括布拉格反射鏡。

在其中一個實施例中，所述反射層包括多層交替疊層設置的第一反射層和第二反射層，所述第一反射層的折射率大于所述第二反射層的折射率，所述第一犧牲層的材料與所述第一反射層的材料相同，所述第二犧牲層的材料與所述第二反射層的材料相同。

在其中一個實施例中，所述第一反射層的材料為TiO₂，所述第二反射層的材料為SiO₂，所述第一犧牲層的材料為TiO₂，所述第二犧牲層的材料為SiO₂。

在其中一個實施例中，所述發光二極管芯片還包括：電流阻擋層和電流擴展層，所述電流阻擋層和所述電流擴展層均設置于所述P半導體層遠離所述發光層的表面，所述電流阻擋層設置于所述P半導體層和所述電流擴展層之間。

在其中一個實施例中，所述發光二極管芯片還包括臺階，所述臺階從所述P半導體層延伸至所述N半導體層。

在其中一個實施例中，所述發光二極管芯片還包括電極，所述電極包括P電極和N電極，所述P電極設置于所述電流擴展層，所述N電極設置于所述臺階。

一種發光二極管，包括如上所述的發光二極管芯片。