[實用新型]一種防硫化COB封裝結構有效
| 申請號： | 201921521369.1 | 申請日： | 2019-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN211404522U | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發明（設計）人： | 陳智波;蘇佳檳;劉俊鑫 | 申請（專利權）人： | 廣州硅能照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 賀紅星 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硫化 cob 封裝 結構 | ||
1.一種防硫化COB封裝結構，其特征在于，包括：LED金屬鏡面載體，設置在LED金屬鏡面載體上的LED芯片，依次設置在LED芯片上的光轉換沉積層、第一保護層、防硫化層、第二保護層，所述防硫化COB封裝結構還包括阻擋墻；所述阻擋墻包裹在所述LED芯片、光轉換沉積層、第一保護層、防硫化層和第二護層外；
所述第一保護層的折射率為1.4-1.45，導熱系數≤0.16w/m·k；所述第二保護層的折射率為1.4-1.52，硬度＞50shoreA。
2.根據權利要求1所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述LED芯片數量≥2顆，相鄰芯片之間通過鍵合金線電氣連接。
3.根據權利要求2所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述鍵合金線被光轉換沉積層或被光轉換沉積層和第一保護層密封。
4.根據權利要求1所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述LED芯片為正裝芯片、倒裝芯片或垂直芯片中的一種。
5.根據權利要求1所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述第一保護層為硅膠層。
6.根據權利要求1所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述防硫化層為含氟聚合物層。
7.根據權利要求1所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述第二保護層為硅膠層。
8.根據權利要求1所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述光轉換沉積層的厚度為0.1-0.3mm，所述第一保護層的厚度為0.2-0.4mm，所述防硫化層的厚度＜0.1mm，所述第二保護層的厚度為0.1-0.3mm，所述阻擋墻的高度不低于所述第二保護層。
9.根據權利要求8所述的防硫化COB封裝結構，其特征在于，所述光轉換沉積層的厚度為0.2mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州硅能照明有限公司，未經廣州硅能照明有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921521369.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種提高卸車速率的天然氣卸車系統
- 下一篇：一種控溫儀的盒蓋結構
