[實(shí)用新型]電路板刻蝕酸性廢水資源化系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921519150.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210736430U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高永鋼;史志偉;李心儀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京中科瑞升資源環(huán)境技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C02F9/10 | 分類號(hào): | C02F9/10;C22B7/00;C22B15/00;C23F1/46;C01G49/10;C02F101/20 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 范彥揚(yáng) |
| 地址: | 100176 北京市北京經(jīng)濟(jì)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路板 刻蝕 酸性 廢水 資源 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型涉及電路板刻蝕酸性廢水資源化系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括分離單元、金屬置換單元、酸度調(diào)節(jié)單元、加熱單元、膜蒸餾濃縮單元、結(jié)晶單元及氧化單元;分離單元包括第一分離單元和第二分離單元;金屬置換單元位于第一分離單元和第二分離單元之間;酸度調(diào)節(jié)單元位于膜蒸餾濃縮單元的上游;膜蒸餾濃縮單元位于金屬置換單元的下游;結(jié)晶單元位于膜蒸餾濃縮單元的下游;氧化單元位于結(jié)晶單元的下游;加熱單元通過(guò)循環(huán)泵分別與膜蒸餾濃縮單元和氧化單元相連。該系統(tǒng)將多效膜蒸餾與低溫結(jié)晶及氧化反應(yīng)相結(jié)合,既能夠有效提高結(jié)晶效率和晶體純度,明顯降低了外排母液的量,并且充分利用了余熱和反應(yīng)熱,有效降低了系統(tǒng)的維護(hù)成本及運(yùn)行成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及廢水處理、資源化領(lǐng)域,具體而言,涉及電路板刻蝕酸性廢水資源化系統(tǒng)。
背景技術(shù)
隨著電子工業(yè)迅速發(fā)展,傳統(tǒng)電路板刻蝕工藝會(huì)產(chǎn)生大量的三氯化鐵酸性廢液,含有大量的銅和錳、鎳、鋯等雜質(zhì)金屬離子。目前,回收三氯化鐵刻蝕液的一般方法為:加入鐵粉,置換出銅回收,然后再用氯氣把氯化亞鐵氧化成氯化鐵回用于刻蝕液。然而,隨著上述刻蝕液的重復(fù)使用,雜質(zhì)金屬的含量逐漸累積,三氯化鐵的純度也隨之下降,不能滿足刻蝕的要求。對(duì)上述刻蝕廢液作危廢零排處理,設(shè)備投資成本和運(yùn)行成本都較高,并且存在腐蝕問(wèn)題,效益低下。
有鑒于此,特提出本實(shí)用新型。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供電路板刻蝕酸性廢液資源化系統(tǒng),所述系統(tǒng)基于膜蒸餾與低溫結(jié)晶和氧化反應(yīng)的結(jié)合,為電路板刻蝕酸性廢液的資源化和零排放提供了高效、低成本的途徑,具有較高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的上述目的,特采用以下技術(shù)方案:
電路板刻蝕酸性廢液的資源化系統(tǒng),其包括預(yù)處理單元、膜蒸餾濃縮單元、結(jié)晶單元及氧化單元;
所述膜蒸餾濃縮單元位于所述預(yù)處理單元的下游;
所述結(jié)晶單元位于所述膜蒸餾濃縮單元的下游;
所述氧化單元位于所述低溫結(jié)晶單元的下游。
可選地,所述結(jié)晶單元為低溫結(jié)晶單元。
可選地,所述預(yù)處理單元包括第一分離單元、金屬置換單元和第二分離單元;所述金屬置換單元位于所述第一分離單元和所述第二分離單元之間。
可選地,所述第一分離單元包括過(guò)濾單元;所述第二分離單元包括離心單元。
可選地,所述過(guò)濾單元包括保安過(guò)濾器;所述保安過(guò)濾器包括外殼和濾芯。
可選地,所述外殼為帶蓋圓筒狀,其材質(zhì)選自耐氯離子的帶襯或不帶襯金屬材質(zhì)或非金屬材質(zhì)。
可選地,所述外殼設(shè)置有進(jìn)液口和出液口,所述進(jìn)液口通過(guò)輸送泵與外部原料罐相連,所述出液口與所述金屬置換單元的進(jìn)液口相連。
可選地,所述濾芯設(shè)置有多級(jí);所述濾芯的過(guò)濾精度為1μm~500μm。
可選地,所述濾芯的過(guò)濾精度可以獨(dú)立地選自1μm、5μm、10μm、15μm、20μm、30μm、50μm、80μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm、450μm、480μm、500μm,以及上述任意點(diǎn)值之間的尺寸范圍。
可選地,所述濾芯可以為聚丙烯材質(zhì)。
可選地,所述離心單元包括離心分離設(shè)備,其材質(zhì)選自耐氯離子腐蝕的帶襯或無(wú)襯金屬材質(zhì)或非金屬材質(zhì)。
可選地,所述離心分離設(shè)備包括進(jìn)液口、出液口和固料出口;所述離心分離設(shè)備的出液口與所述第一平衡罐相連;所述離心分離設(shè)備的固料出口與外部固料收集器相連。
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