[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921515065.4
• 申請(qǐng)日: 2019-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN210092082U
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶大偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/762;H01L21/8242
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括；

襯底；

設(shè)置于所述襯底內(nèi)的多個(gè)第一溝槽；

由所述第一溝槽隔開的多個(gè)有源區(qū)；

穿過所述有源區(qū)的多條第二溝槽；

位于所述襯底上表面的介電層；

窗口，穿透所述介電層與所述襯底的上表面相接觸，并設(shè)置在相鄰二個(gè)所述第一溝槽和相鄰二個(gè)所述第二溝槽之間，且所述窗口在所述襯底上表面的投影面積大于等于相鄰二個(gè)所述第一溝槽和相鄰二個(gè)所述第二溝槽之間有源區(qū)的尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一溝槽內(nèi)填充有介電材料，以形成一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)深度范圍為800～1600納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電材料的K值小于3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二溝槽內(nèi)填充有柵極材料及介質(zhì)材料，以形成字線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)材料的介電常數(shù)介于1～8之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極材料包括鎢、鈦、鎳、鋁、鉑、氮化鈦、N型多晶硅及P型多晶硅中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述窗口為方形窗口，且所述方形窗口在所述襯底上表面的投影在所述第二溝槽的長度方向上的寬度大于相鄰兩第一溝槽之間的距離，在垂直于所述第二溝槽的長度方向上的寬度大于相鄰兩第二溝槽之間的距離。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述窗口垂直向下延伸入所述襯底內(nèi)部至預(yù)設(shè)深度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電層包括無定形硅層。