[實用新型]一種高效晶硅光伏電池結構

有效

• 申請號: 201921510439.3
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN210723045U
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 董仲
• 申請（專利權）人: 南京愛通智能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 南京先科專利代理事務所(普通合伙) 32285
• 代理人: 孫甫臣

本實用新型公開一種高效晶硅光伏電池結構，包括硅基體，所述硅基體的正面設有鈍化膜，所述硅基體的反面自上而下依次包括隧穿介質膜或本征硅薄膜、圖形化半導體薄膜、鈍化膜及圖形化電極；所述半導體薄膜包括P型半導體薄膜和N型半導體薄膜，所述電極包括正電極和負電極；所述正電極穿過鈍化膜和P型半導體薄膜形成歐姆接觸，所述負電極穿過鈍化膜和N型半導體薄膜形成歐姆接觸。本實用新型能夠極大減少遮光損失，提高電池的電流輸出能力。

技術領域

本實用新型涉及光伏電池技術領域，具體涉及一種高效晶硅光伏電池結構。

背景技術

晶體硅太陽能電池正面（受光面）往往存在電極，這些電極遮蔽了部分陽光減少了電池的光電轉化效率。全背電極電池結構可以避免上述問題，但這種電池需要在電池背面進行圖形化摻雜。目前此類電池的制備方案為掩膜摻雜方案，工藝較復雜，成本較高。

實用新型內容

實用新型目的：本實用新型目的在于針對現有技術的不足，提供一種高效晶硅光伏電池結構及其制備方法，能夠極大減少遮光損失，提高電池的電流輸出能力（Isc）。

技術方案：本實用新型所述一種高效晶硅光伏電池結構，包括硅基體，所述硅基體的正面設有鈍化膜，所述硅基體的反面自上而下依次包括隧穿介質膜或本征硅薄膜、圖形化半導體薄膜、鈍化膜及圖形化電極；所述半導體薄膜包括P型半導體薄膜和N型半導體薄膜，所述電極包括正電極和負電極；所述正電極穿過鈍化膜和P型半導體薄膜形成歐姆接觸，所述負電極穿過鈍化膜和N型半導體薄膜形成歐姆接觸。

優選地，所述隧穿介質膜選自SiO₂、Al₂O₃、SiC中的一種。

優選地，所述隧穿介質膜的厚度為1-5nm。

優選地，所述隧穿介質膜的厚度為1-2nm。

優選地，所述P型半導體薄膜選自P-Si、P-NiO、P-Cu₂O中的一種。

優選地，所述P型半導體薄膜的厚度為5-200nm。

優選地，所述P型半導體薄膜的厚度為20-100nm。

優選地，所述P型半導體薄膜的電阻率介于1E-1和1E-4Ω*CM。

優選地，所述N型半導體薄膜選自N-Si、N-ZnO、N-TiO₂中的一種。

優選地，所述N型半導體薄膜的厚度為5-200nm。

優選地，所述N型半導體薄膜的厚度為20-100nm。

優選地，所述N型半導體薄膜的電阻率介于1E-1和1E-4Ω*CM。

優選地，所述N型半導體薄膜和P型半導體薄膜不產生交叉。

優選地，所述本征硅薄膜的厚度為2-20nm。

優選地，所述本征硅薄膜的厚度為5-10nm。

優選地，所述本征硅薄膜設為圖形化，且所述圖形化本征硅薄膜與圖形化P型半導體薄膜和/或N型半導體薄膜相對對應。

優選地，所述鈍化膜為SiNx或SixOyNz，所述鈍化膜的厚度為60-200nm。

優選地，所述鈍化膜的厚度為70-120nm。

優選地，所述圖形為線條狀，且所述線條狀圖形的寬度為20-500μm。

優選地，所述線條狀圖形的寬度為50-100μm。