[實用新型]一種基于相變材料的感溫型太赫茲探測器有效
| 申請號: | 201921494851.0 | 申請日: | 2019-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN210862918U | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 黃志明;胡濤;張惜月;陳允楓;張志博;閻蔣偉;潘昌翊;謝浩;王廣艷 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號: | G01J1/44 | 分類號: | G01J1/44;G01J1/42;G01K7/00;H01L31/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 相變 材料 感溫型太 赫茲 探測器 | ||
本專利公開了一種基于相變材料的感溫型太赫茲探測器,所述探測器由氧化鋁襯底,銻化銦敏感元,二氧化釩光柵結構層,半波天線和器件管座組成。本專利制備的感溫型太赫茲探測器,在傳統的金屬?半導體?金屬結構基礎上,通過引入二氧化釩光柵結構層,利用二氧化釩在環境溫度為68℃的相變轉換特性,引起光柵結構層的電導率劇烈的變化,進而使整個器件的局域等離子體激元引起的場增強效應不同,達到一種太赫茲波探測的調制目的;在實現了0.01?3THz的寬波段快速、高靈敏響應的同時,增加了對環境溫度感知的新功能。這對于優化器件結構設計和完善器件功能都有著十分重要的意義,在科學和技術等領域將會發揮著重要作用。
技術領域
本專利涉及太赫茲光電探測器領域,更具體的說,涉及一種基于相變材料的感溫型太赫茲探測器。
背景技術
太赫茲波是一種波長介于微波和紅外之間的電磁波,其頻率范圍為0.1-10THz,具有定向性好、穿透性強、安全性高等特性,目前已廣泛應用于通信、醫療診斷、環境檢測等方面。由于目前太赫茲輻射源的功率普遍較低,以及探測器多功能集成化的需求越來越強烈,發展更高靈敏度、高響應率、多功能化的太赫茲探測器,已成為當今研究熱點之一。
近些年來,超構材料的發展為研究多功能調制型太赫茲探測器奠定了基礎。利用電磁超材料的物理性質的環境依賴性,有關研究者已經利用外界的電場強度、光場強度、溫度以及機械振動等方式改變材料等效的光學常數,實現了器件對太赫茲波的振幅、頻率、相位的調制。其中,利用溫度調制太赫茲器件是一種很簡單方便可行的方式。在眾多對溫度敏感的材料中,二氧化釩是一種具有相變性質的金屬氧化物,其相變溫度為68℃,目前已經被廣泛用于智能控溫領域。在其相變溫度以下,二氧化釩呈絕緣態,電導率較低;在其相變溫度以上,二氧化釩呈現金屬態,電導率相對于絕緣態增大4個數量級[1];并且該相變為可逆相變。2012年,Mengkun Liu等人[2]通過在金屬諧振結構的溝道里,嵌埋二氧化釩材料,利用溫度變化,改變諧振條件,明顯觀察出溫度變化對該體系透射率的影響。正是利用此相變的性質,二氧化釩目前在光開關、光存儲等領域有著廣泛的研究與應用。但是,目前絕大部分基于相變材料調制的太赫茲器件的研究,還只停留在溫度對光學方面的透反射曲線的影響,并沒有直接涉及到太赫茲探測器件的研究。
在太赫茲探測器方面,申請人所在課題組基于局域等離子體激元的理論,利用金屬-半導體-金屬(MSM)結構,在銻化銦材料[3]上已經實現了高靈敏度室溫太赫茲探測,響應頻率為37.5GHz,噪聲等效功率為1.5*10-13W/Hz0.5,達到了國際領先水平。為了進一步發展更高靈敏度、高響應率的太赫茲探測器,超構材料的思想同樣也為我們提供了新的思路。在非共振結構(金屬-半導體-金屬結構)的狹縫中,引入周期性金屬光柵結構層后,通過理論分析和模擬計算,我們發現有金屬光柵的非共振結構的場增強作用,相比于無金屬光柵的非共振結構的場增強作用,有顯著的提高,進而達到了增強太赫茲波探測的目的。除此之外,對于另外一種情形,在金屬-半導體-金屬(MSM)結構的狹縫中,引入很薄的周期性絕緣體光柵結構層后,我們發現場增強作用的變化不明顯,即對探測器的探測效果影響不大,依然保持著傳統的金屬-半導體-金屬(MSM)結構探測器的高靈敏度、高響應率的優異性能。
至此,我們可以通過在金屬-半導體-金屬(MSM)結構的探測器敏感元(銻化銦)上,引入特定的周期性二氧化釩光柵結構層:當環境溫度在68℃以下時,二氧化釩光柵結構層相當于絕緣體光柵結構層,場增強作用的變化不明顯,此時探測器依然保持著高靈敏度高響應率的優異性能;當環境溫度在68℃以上時,二氧化釩光柵結構層相當于金屬光柵結構層,場增強作用的效果明顯,此時探測器有顯著增強探測的效果,促使器件的探測率、響應率等性能指標進一步的提高。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海技術物理研究所,未經中國科學院上海技術物理研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921494851.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





