[實用新型]晶體生長裝置有效
| 申請號： | 201921488642.5 | 申請日： | 2019-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN210420255U | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 付秀梅;周世斌;賴維明 | 申請（專利權）人： | 成都東駿激光股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闖 |
| 地址： | 611600 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體生長 裝置 | ||
1.一種晶體生長裝置，包括上保溫筒和下保溫筒，所述下保溫筒用于容置坩堝，所述上保溫筒用于形成晶體的生長空間，其特征在于，所述晶體生長裝置還包括：第一加熱裝置和第二加熱裝置；
所述第一加熱裝置設置于所述下保溫筒上，所述第一加熱裝置用于對所述下保溫筒內放置的坩堝進行加熱，以對所述坩堝內的原料進行加熱；
所述第二加熱裝置設置于所述上保溫筒內，所述第二加熱裝置用于對晶體進行加熱。
2.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述第一加熱裝置為電感線圈，所述電感線圈套設于所述下保溫筒外；
所述晶體生長裝置還包括坩堝，所述坩堝為銥坩堝。
3.根據權利要求2所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述晶體生長裝置還包括爐體，所述下保溫筒和所述上保溫筒均位于所述爐體內；
所述第一加熱裝置與所述爐體之間設置有低電阻金屬筒，所述低電阻金屬筒套設于所述第一加熱裝置外。
4.根據權利要求3所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述第二加熱裝置為電阻加熱器。
5.根據權利要求4所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述第二加熱裝置呈筒狀；
所述上保溫筒的底部設置有支撐臺，所述支撐臺與所述上保溫筒的內壁連接，所述第二加熱裝置安裝于所述支撐臺上。
6.根據權利要求5所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述晶體生長裝置還包括旋轉升降機構和籽晶桿；
所述旋轉升降機構與所述籽晶桿的一端連接，所述籽晶桿的另一端用于固定籽晶；
所述籽晶桿用于將所述籽晶穿設在所述第二加熱裝置，所述旋轉升降機構與所述爐體連接。
7.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述上保溫筒的筒壁厚度大于所述下保溫筒的筒壁厚度。
8.根據權利要求2所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述下保溫筒與所述坩堝之間設置有保溫磚層。
9.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述晶體生長裝置還包括墊板；
所述下保溫筒的底部設置有托盤，所述墊板設置于所述托盤與所述坩堝之間。
10.根據權利要求9所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述墊板為保溫材料制成。
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