[實用新型]終端屏幕及終端有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921487337.4 | 申請日: | 2019-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN210156379U | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 白劍 | 申請(專利權)人: | 北京小米移動軟件有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 鄭光 |
| 地址: | 100085 北京市海淀區(qū)清河*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 終端 屏幕 | ||
本公開提供了一種終端屏幕及終端。所述終端屏幕包括:基板以及位于基板上層的顯示層;顯示層包括主顯示區(qū)和輔顯示區(qū);輔顯示區(qū)包括第一像素和第二像素,第一像素的尺寸小于主顯示區(qū)中像素的尺寸,第二像素的尺寸大于或等于主顯示區(qū)中像素的尺寸;輔顯示區(qū)中目標區(qū)域的透光性能優(yōu)于主顯示區(qū)的透光性能。在本公開實施例中,通過設計輔顯示區(qū)中一部分像素尺寸小于主顯示區(qū)中像素尺寸,另一部分像素尺寸大于或等于主顯示區(qū)中像素尺寸,一方面實現(xiàn)在輔顯示區(qū)中保留出一部分透光性能較佳的區(qū)域,在這下方設置光學器件,能夠保證光學器件的工作性能,另一方面使得輔顯示區(qū)其它區(qū)域的顯示效果盡可能地和主顯示區(qū)接近,從而提升整個終端屏幕的顯示效果。
技術領域
本公開實施例涉及顯示屏技術領域,特別涉及一種終端屏幕及終端。
背景技術
手機行業(yè)對屏占比有著越來越高的追求,期望產(chǎn)出接近100%屏占比的手機。
手機屏占比提升的難點在于:如何將手機前面板上的功能器件(如攝像頭、聽筒、光線傳感器、距離傳感器、指紋傳感器等器件)進行合理設置,以最大化地提升屏占比。在相關技術中,提出了將上述功能器件設置在手機屏幕下方的技術構想。通過將上述功能器件設置在手機屏幕下方,可以充分釋放這些功能器件對手機前面板的占用空間,提升屏占比。
但是,對于一些工作時需要接收或發(fā)射光線的光學器件(如攝像頭、光線傳感器、紅外發(fā)射器、紅外接收器等器件)來說,在將這些光學器件設置在手機屏幕下方之后,由于手機屏幕的透光性,會導致這些光學器件的工作性能受到影響,甚至無法正常工作。
實用新型內(nèi)容
本公開實施例提供了一種終端屏幕及終端,可用于解決將光學器件設置在終端屏幕下方之后,由于終端屏幕的透光性,會導致這些光學器件的工作性能受到影響,甚至無法正常工作的問題。所述技術方案如下:
根據(jù)本公開實施例的第一方面,提供了一種終端屏幕,所述終端屏幕包括:基板以及位于所述基板上層的顯示層;
所述顯示層包括主顯示區(qū)和輔顯示區(qū);
所述輔顯示區(qū)包括第一像素和第二像素,所述第一像素的尺寸小于所述主顯示區(qū)中像素的尺寸,所述第二像素的尺寸大于或等于所述主顯示區(qū)中像素的尺寸;
所述輔顯示區(qū)中目標區(qū)域的透光性能優(yōu)于所述主顯示區(qū)的透光性能。
所述目標區(qū)域包括所述第一像素所在的區(qū)域。
可選地,所述目標區(qū)域的透過率大于所述主顯示區(qū)的透過率,和/或,所述目標區(qū)域的透光質(zhì)量優(yōu)于所述主顯示區(qū)的透光質(zhì)量。
可選地,所述輔顯示區(qū)的分辨率等于所述主顯示區(qū)的分辨率,或者,所述輔顯示區(qū)的分辨率大于所述主顯示區(qū)的分辨率。
可選地,所述輔顯示區(qū)中相鄰像素的中心間距,與所述主顯示區(qū)中相鄰像素的中心間距相同。
可選地,所述輔顯示區(qū)的像素排列方式與所述主顯示區(qū)的像素排列方式相同。
可選地,所述輔顯示區(qū)的像素結構與所述主顯示區(qū)的像素結構相同。
可選地,所述輔顯示區(qū)中摳除至少一個像素。
可選地,所述輔顯示區(qū)中摳除的像素在所述輔顯示區(qū)中均勻分布。
可選地,所述輔顯示區(qū)中扣除的像素數(shù)量與所述輔顯示區(qū)中扣除前原有的像素數(shù)量的比值小于或等于25%。
可選地,所述輔顯示區(qū)中相鄰像素之間的區(qū)域做透光性能優(yōu)化處理。
可選地,所述輔顯示區(qū)的像素控制電路位于所述輔顯示區(qū)的像素下方。
可選地,所述輔顯示區(qū)的像素控制電路位于所述主顯示區(qū)中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





