[實用新型]一種ZnO:Li阻變存儲器有效
| 申請號： | 201921471973.8 | 申請日： | 2019-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN210272427U | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 趙曉鋒;李易;溫殿忠 | 申請（專利權）人： | 黑龍江大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京康思博達知識產權代理事務所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 張玉玲;范國鋒 |
| 地址： | 150080 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno li 存儲器 | ||
1.一種ZnO:Li阻變存儲器，其特征在于，所述存儲器包括襯底(1)和設置在其上的單個或多個阻變單元，其中，
所述阻變單元包括依次設置的底電極(2)、阻變層(3)和頂電極(4)，所述阻變層(3)為Li摻雜ZnO薄膜；
所述襯底(1)為單晶硅襯底，在其上表面設置有第一二氧化硅層(5)，其厚度為300nm～500nm；
所述阻變層(3)的厚度為90nm～180nm；
所述底電極(2)設置在第一二氧化硅層(5)的上表面，包括由下至上設置的黏附層Ti層(21)和Pt層(22)；
所述Ti層(21)的厚度為10nm～60nm；
所述Pt層(22)厚度為50nm～150nm。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變層(3)的厚度為120nm～160nm。
3.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極(4)設置在阻變層(3)的上方，所述頂電極為Ag電極，厚度為80nm～150nm。
4.根據權利要求3所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極(4)為圓形或方形。
5.根據權利要求4所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極(4)為圓形，其直徑為20μm～500μm。
6.根據權利要求4所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極(4)為方形，其邊長為20μm～500μm。
7.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，在所述第一二氧化硅層(5)的上表面設置有第二二氧化硅層(6)，所述第二二氧化硅層(6)的厚度為250nm～350nm。
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