[實(shí)用新型]一種光連接模組

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921465430.5
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN210157193U
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州辰睿光電有限公司
• 主分類號(hào): H04B10/25
• 分類號(hào): H04B10/25;H01L25/16;G02B6/42
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 唐巖

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光連接模組，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中光傳輸需經(jīng)兩次反射,造成能量損耗，且使用的玻璃棱鏡體積較大,影響集成后芯片體積的問題，其技術(shù)要點(diǎn)在于包括傳輸芯片；接收芯片，與傳輸芯片平行間隔設(shè)置；反射鏡，位于傳輸芯片和接收芯片間的中軸線的正上方；其中，傳輸芯片包括朝向反射鏡傾斜設(shè)置的發(fā)射部，接收芯片包括朝向反射鏡傾斜設(shè)置的接收部，發(fā)射部發(fā)出的光線經(jīng)反射鏡一次反射后被接收部接收。本實(shí)用新型中的光傳輸僅僅需要一次反射就能夠?qū)崿F(xiàn)，有效降低了能量損耗，同時(shí)縮小了芯片所需體積，大幅度提高實(shí)用性，并且制作工藝步驟簡單，能夠有效降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光連接模組。

背景技術(shù)

移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、下一代數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域所帶來的市場需求，云計(jì)算的部署更加速了業(yè)務(wù)對網(wǎng)絡(luò)帶寬的需求，不斷交互的海量數(shù)據(jù)需要更強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心、更高的網(wǎng)絡(luò)帶寬，而數(shù)據(jù)中心市場的規(guī)模也一直以40％的速度在不斷增長。目前，全球設(shè)備供應(yīng)商和廠家投入了大量資源去開發(fā)傳輸速率為40Gb/s、100Gb/s甚至400Gb/s光通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)與產(chǎn)品，作為超高速、超大容量光網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)之一，40Gb/s和100Gb/s通信光電子芯片和光電子器件正在向著集成化、高帶寬、小尺寸、低功耗、低成本的方向發(fā)展，已成為了國內(nèi)外開發(fā)和投資的熱點(diǎn)。

因此在實(shí)際應(yīng)用中，如圖1所示，通常利用一個(gè)面射型激光器，透過玻璃棱鏡，經(jīng)過兩次反射后，將信號(hào)傳輸?shù)教綔y器中。但是上述方案仍然具有以下幾個(gè)問題：1.光線需經(jīng)兩次反射,造成能量損耗2.兩次反射的玻璃棱鏡, 需要復(fù)雜的工藝制作,增加成本3.兩次反射的玻璃棱鏡體積較大,影響集成后芯片體積。

實(shí)用新型內(nèi)容

因此，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中光傳輸需經(jīng)兩次反射,造成能量損耗，且使用的玻璃棱鏡體積較大,影響集成后芯片體積的缺陷，從而提供一種光連接模組。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的：

一種光連接模組，包括：

傳輸芯片；

接收芯片，與所述傳輸芯片平行間隔設(shè)置；

反射鏡，位于所述傳輸芯片和所述接收芯片間的中軸線的正上方；

其中，所述傳輸芯片包括朝向所述反射鏡傾斜設(shè)置的發(fā)射部，所述接收芯片包括朝向所述反射鏡傾斜設(shè)置的接收部，所述發(fā)射部發(fā)出的光線經(jīng)所述反射鏡一次反射后被所述接收部接收。

可選地，所述傳輸芯片還包括第一襯底和覆蓋于所述第一襯底上方的第一覆蓋層，所述發(fā)射部位于所述第一覆蓋層靠近所述接收芯片的端部。

可選地，所述第一覆蓋層包括第一可腐蝕層和覆蓋于所述第一可腐蝕層上方的第一外延層，所述第一外延層的至少一側(cè)端部延伸出所述第一可腐蝕層，所述第一外延層延伸出所述第一可腐蝕層一端的端部朝向所述反射鏡傾斜設(shè)置，以形成所述發(fā)射部。

可選地，所述接收芯片還包括第二襯底和覆蓋于所述第二襯底上方的第二覆蓋層，所述接收部位于所述第二覆蓋層靠近所述傳輸芯片的端部。

可選地，所述第二覆蓋層包括第二可腐蝕層和覆蓋于所述第二可腐蝕層上方的第二外延層，所述第二外延層的至少一側(cè)端部延伸出所述第二可腐蝕層，所述第二外延層延伸出所述第二可腐蝕層一端的端部朝向所述反射鏡傾斜設(shè)置，以形成所述接收部。

可選地，所述第一可腐蝕層及所述第二可腐蝕層包括AlAs/GaAs或 AlGaAs/GaAs或InGaAs/InP。

可選地，所述第一可腐蝕層與所述第二可腐蝕層的厚度均為20-25nm。