[實用新型]一種超晶格量子點結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921464586.1 | 申請日： | 2019-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN211404521U | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州辰睿光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01S5/028;H01L23/29;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 張韜 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶格 量子 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種超晶格量子點結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括襯底(1)，所述襯底(1)上外延生長有活性層(2)，所述活性層(2)相對所述襯底(1)一側(cè)生長有一層或多層異質(zhì)量子點結(jié)構(gòu)(3)；
所述異質(zhì)量子點結(jié)構(gòu)(3)包括間隔設(shè)置的誘導(dǎo)層(31)和間隔層(32)，位于同層的所述誘導(dǎo)層(31)相比所述間隔層(32)靠近所述襯底(1)一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超晶格量子點結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述間隔層(32)為GaAs層，所述誘導(dǎo)層(31)為InAs層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超晶格量子點結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述間隔層(32)的厚度小于20nm，所述誘導(dǎo)層(31)的厚度小于2.5ML。
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