[實用新型]一種基于可控硅原理的雙向可編程過壓保護器件

有效

• 申請號: 201921457687.6
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN211045439U
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 張超;王成森;朱明
• 申請（專利權）人: 捷捷半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331
• 代理人: 明志會

1.一種基于可控硅原理的雙向可編程過壓保護器件，其特征在于，包含：

N型襯底硅片(1)；

設置在N型襯底內部的P型穿通區(2)；

設置在第一、第二兩穿通區之間的NPN三極管，包含背面深磷N+擴散區(3)，N型襯底硅片(1)，P型基區(4)，N+發射區(8)，P+基極歐姆接觸區(9a)；

設置在第二、第三兩穿通區之間的雙向NPNPN可控硅，包含N型背面K區(10B)，P型背面短基區(5B)，N型襯底硅片(1)，P型正面短基區(5a)，N型正面K區(10a)，所述P型背面短基區(5B)和P型正面短基區(5a)同時光刻及擴散形成，N型背面K區(10B)和N型正面K區(10a)同時光刻及擴散形成；

設置在最右側穿通區內的PNP三極管，包括P型穿通區(2)，N型基區(6)，P型發射區(7)，N+基區歐姆接觸區(10b)，所述N+基區歐姆接觸區(10b)是同N型正面K區(10a)同時光刻及擴散形成；

設置在芯片正面表面的鈍化層(11)及相應通孔；

設置在芯片正面及背面的金屬層，包括連接NPN三極管基區歐姆接觸區P+的金屬(12)，作為電極GN為負向過電壓參考電位，連接NPN三極管發射區及雙向可控硅基區G1的金屬連線(13)，提供可控硅I象限的觸發信號，連接PNP三極管基區歐姆接觸區N+的金屬三(16)，作為電極GP為正向過電壓參考電位，連接PNP三極管發射區及雙向可控硅基區G2的金屬連線二(15)，提供可控硅III象限的觸發信號，設置于雙向可控硅正面的金屬二(14)，作為雙向可控硅的電極K，用于連接信號輸入，設置于NPN三極管、PNP三極管、雙向可控硅背面的金屬二(14)，作為雙向可控硅的電極A，用于器件的共地端。

2.根據權利要求1所述的一種基于可控硅原理的雙向可編程過壓保護器件，其特征在于：所述鈍化層(11)為二氧化硅、氮化硅、玻璃絕緣鈍化層的任一種。