[實用新型]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201921438744.6 | 申請日: | 2019-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN210120138U | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 樓均輝;張露 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括主顯示區、第一副顯示區、第二副顯示區以及過渡顯示區,所述第一副顯示區、所述第二副顯示區以及所述過渡顯示區位于所述主顯示區的同側,所述過渡顯示區位于所述第一副顯示區與所述第二副顯示區之間,所述第一副顯示區的透光率大于所述主顯示區的透光率,所述顯示面板包括:
第一像素單元,位于所述第一副顯示區,所述第一像素單元包括第一子像素;
第一像素電路,位于所述過渡顯示區,所述第一像素電路與所述第一子像素電連接,用于驅動所述第一子像素顯示;
第二像素單元,位于所述第二副顯示區,所述第二像素單元包括第二子像素;以及
第三像素單元,位于所述過渡顯示區,所述第三像素單元包括第三子像素,
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中的任意至少兩者尺寸相同。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一發光區和第一非發光區,所述第一非發光區圍繞所述第一發光區的至少部分周邊設置,所述第一非發光區的透光率大于所述第一發光區的透光率;
所述第二子像素包括第二發光區和第二非發光區,所述第二非發光區圍繞所述第二發光區的至少部分周邊設置;
所述第三子像素包括第三發光區和第三非發光區,所述第三非發光區圍繞所述第三發光區的至少部分周邊設置;
所述顯示面板還包括第四像素單元,所述第四像素單元位于所述主顯示區,所述第四像素單元包括第四子像素,所述第四子像素包括第四發光區和第四非發光區,所述第四非發光區圍繞所述第四發光區的至少部分周邊設置;
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分別對應的所述第一發光區、所述第二發光區、所述第三發光區中的任意至少兩者的尺寸相等,并且小于同色的所述第四子像素的所述第四發光區的尺寸。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,每個所述第一像素單元包括的多個所述第一發光區的總面積與所述第一像素單元面積之比為0.02至0.25。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,每個所述第一像素單元包括的多個所述第一發光區的總面積與所述第一像素單元面積之比為0.05至0.12。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一電極、位于所述第一電極上的第一發光結構以及位于所述第一發光結構上的第二電極;
所述第二子像素包括第三電極、位于所述第三電極上的第二發光結構以及位于所述第二發光結構上的第四電極;
所述第三子像素包括第五電極、位于所述第五電極上的第三發光結構以及位于所述第三發光結構上的第六電極;
所述第一電極、所述第三電極、所述第五電極均為反射電極,
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分別對應的所述第一電極、所述第三電極、所述第五電極中的任意至少兩者的形狀、尺寸以及層結構相同,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分別對應的所述第一發光結構、所述第二發光結構、所述第三發光結構中的任意至少兩者的形狀、尺寸以及層結構相同,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分別對應的所述第二電極、所述第四電極、第六電極中的任意至少兩者的形狀、尺寸以及層結構相同。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,同色且相鄰的至少兩個所述第一子像素的所述第一電極互連為第一互連電極,同色且相鄰的至少兩個所述第二子像素的所述第三電極互連為第二互連電極,同色且相鄰的至少兩個所述第三子像素的所述第五電極互連為第三互連電極,
相同顏色的所述第一子像素、所述第二子像素、第三子像素分別對應的所述第一互連電極、所述第二互連電極、所述第三互連電極中的任意至少兩者的形狀相同。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一像素單元、所述第二像素單元、所述第三像素單元中的任意至少兩者的排布規律相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





