[實用新型]薄膜體聲波諧振器及濾波器

有效

• 申請號: 201921433456.1
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN211959173U
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 繆建民;張瑞珍
• 申請（專利權）人: 邁感微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/05;H03H3/02;H03H9/58
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本實用新型實施例公開了一種薄膜體聲波諧振器及濾波器，該薄膜體聲波諧振器包括：支撐結構，所述支撐結構內部設置空氣隙；形成在所述支撐結構上的自下而上排列的下電極、壓電層和上電極。本實用新型實施例提供的技術方案，增加了薄膜體聲波諧振器的機械牢固度，有效避免常規工藝犧牲層被灌入通孔的腐蝕液腐蝕不完全和腐蝕液清洗不干凈的問題。

技術領域

本實用新型實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種薄膜體聲波諧振器及濾波器。

背景技術

近年來，隨著無線通信技術朝著高頻率和高速度方向迅猛發展，以及電子元器件朝著微型化和低功耗的方向發展，基于薄膜體聲波諧振器(Film Bulk AcousticResonator，FBAR)的濾波器的研究與開發越來越受到人們的關注。

目前的薄膜體聲波諧振器，常常會因為其機械牢固度不夠，以至于薄膜體聲波諧振器不能正常使用。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供了一種薄膜體聲波諧振器及濾波器，以解決現有技術中薄膜體聲波諧振器常常會因為其機械強度不夠，以至于薄膜體聲波諧振器不能正常使用的技術問題。

第一方面，本實用新型實施例提供了一種薄膜體聲波諧振器，包括：

支撐結構，所述支撐結構內部設置空氣隙；

形成在所述支撐結構上的自下而上依次排列的下電極、壓電層和上電極。

可選地，所述支撐結構包括第一晶圓，所述第一晶圓的第一表面設置凹槽；

形成在所述第一晶圓上的第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述凹槽，所述第一晶圓和所述第一絕緣層包圍所述凹槽，所述凹槽構成所述空氣隙。

可選地，在垂直于所述第一晶圓的第一表面方向上，所述空氣隙的縱截面圖形為多邊形。

可選地，所述第一絕緣層包括第一氧化硅絕緣層。

可選地，所述壓電層包括氮化鋁壓電層、氧化鋅壓電層以及鋯鈦酸鉛壓電陶瓷壓電層中的任一一種。

第二方面，本實用新型實施例提供了一種濾波器，包括第一方面任意所述的薄膜體聲波諧振器。

在本實施例提供的技術方案，支撐結構內部設置空氣隙，形成在支撐結構上的自下而上排列的下電極、壓電層和上電極組成的壓電振蕩聲學堆，支撐結構支撐下電極、壓電層和上電極組成的壓電振蕩聲學堆，整個薄膜體聲波諧振器在下電極的下表面形成空氣界面，以達到反射聲波、降低器件損耗、提高諧振單元品質因數的目的，無需像現有技術中在下電極、壓電層和上電極組成的壓電振蕩聲學堆上設置通孔作為釋放通道，連通至支撐結構的空氣隙，增強了整個薄膜體聲波諧振器的機械牢固度，有效避免常規工藝犧牲層被灌入通孔的腐蝕液腐蝕不完全和腐蝕液清洗不干凈的問題。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖說明所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優點將變得更明顯。

圖1為本實用新型實施例一提供的一種薄膜體聲波諧振器的剖面結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例一提供的另一種薄膜體聲波諧振器的剖面結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例三提供的一種薄膜體聲波諧振器的制備方法的流程示意圖；

圖4-圖5為本實用新型實施例三提供的一種薄膜體聲波諧振器的制備方法各步驟對應的剖面結構示意圖；

圖6為本實用新型實施例三提供的另一種薄膜體聲波諧振器的制備方法的流程示意圖；

圖7-圖9為本實用新型實施例三提供的另一種薄膜體聲波諧振器的制備方法各步驟對應的剖面結構示意圖；