[實用新型]晶圓傳送裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921422999.3 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN210110736U | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐純;莫少文;林曉瑜 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳送 裝置 | ||
本實用新型提供了一種晶圓傳送裝置,包括承載模塊及設置于所述承載模塊內的第一氣路通道和第二氣路通道,所述承載模塊上設置有吸附腔,所述第一氣路通道的一端連通所述吸附腔,另一端連接一真空泵,通過所述真空泵將所述吸附腔抽真空以吸附一晶圓;所述第二氣路通道的一端連通所述吸附腔,另一端連通大氣,通過所述第二氣路通道對所述吸附腔泄壓以釋放所述晶圓。利用真空泵使得吸附腔內外產生壓強差對晶圓進行吸附,同時,通過增加一個第二氣路通道來平衡用吸附腔的內外大氣壓,避免了由于第一氣路通道真空釋放不徹底導致晶圓釋放時產生拖拽或者彈跳的問題,提高了晶圓的良率,同時減少了人力的維護以及提高了晶圓傳送裝置的利用率。
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種晶圓傳送裝置。
背景技術
在半導體的制造工藝中,很多時候需要利用晶圓傳送裝置來實現(xiàn)對晶圓的取放以及運輸,現(xiàn)有技術中,一般是在晶圓傳送裝置內設置真空管道,所述真空管道的一端連接吸附晶圓的腔體,另一端連接真空泵,通過控制所述真空管道的打開或閉合實現(xiàn)對晶圓的傳送。例如,需要收取晶圓時,打開所述真空管道,由于晶圓的背面置于腔體上,真空泵通過所述真空管道對所述腔體抽真空,使得晶圓的背面處于負壓環(huán)境,而晶圓的表面處于大氣壓下,由于壓差的作用使得腔體吸附住所述晶圓,將晶圓移動到目標位置后,閉合真空管道以平衡晶圓表面與背面的壓強,以減小腔體對晶圓的吸附力,從而釋放所述晶圓。但是,在實際操作過程中,由于在大氣壓強的作用下所述真空管道無法徹底釋放干凈,即晶圓表面的氣壓仍然高于晶圓背面的氣壓,導致晶圓仍會受到腔體的吸附,真空晶圓傳送裝置撤離時容易使晶圓被拖拽或彈跳,從而使晶圓受到損傷甚至報廢。因此,為了避免真空管道的真空釋放不徹底,需要設計一種新型的真空晶圓傳送裝置。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種晶圓傳送裝置,避免晶圓放置時產生拖拽或者彈跳,從而提高晶圓的良率。
為了達到上述目的,本實用新型提供了一種晶圓傳送裝置,包括承載模塊及設置于所述承載模塊內的第一氣路通道和第二氣路通道,所述承載模塊上設置有吸附腔,所述第一氣路通道的一端連通所述吸附腔,另一端連接一真空泵,通過所述真空泵將所述吸附腔抽真空以吸附一晶圓;所述第二氣路通道的一端連通所述吸附腔,另一端連通大氣,通過所述第二氣路通道對所述吸附腔泄壓以釋放所述晶圓。
進一步,所述第一氣路通道和所述第二氣路通道相互獨立。
進一步,所述第一氣路通道和所述第二氣路通道上分別設置有第一電磁閥和第二電磁閥,所述第一電磁閥和所述第二電磁閥的開閉狀態(tài)相反。
進一步,所述接頭為三通接頭,所述第一氣路通道和所述第二氣路通道具有重疊部分。
進一步,所述第一氣路通道包括連通的第一管道和第三管道,所述第二氣路通道包括連通的第二管道和所述第三管道,所述第三管道為所述重疊部分,所述第三管道的端部連通所述吸附腔,所述第一管道和所述第二管道的端部分別連通所述真空泵和大氣。
進一步,所述第一管道、第二管道和所述第三管道通過三通接頭連接。
進一步,所述第一管道與所述第二管道上分別設置有第三電磁閥和第四電磁閥,所述第三電磁閥和所述第四電磁閥的開閉狀態(tài)相反。
進一步,所述第一管道、第二管道和所述第三管道通過一二位三通電磁閥連接,所述二位三通電磁閥通電時。。
進一步,所述第二管道與所述第一管道及所述第二管道均垂直。
進一步,所述承載模塊設置于一機械手臂上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





