[實用新型]半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)及疊陣結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921419944.7 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN210182774U | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉鳴;石鐘恩;鄭艷芳;付團偉 | 申請(專利權(quán))人: | 西安域視光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/022 | 分類號: | H01S5/022;H01S5/40 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 武成國 |
| 地址: | 710000 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體激光器 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
半導(dǎo)體激光芯片、導(dǎo)電襯底、補強片;
所述半導(dǎo)體激光芯片的兩個鍵合面各與一個所述導(dǎo)電襯底平行且鍵合;
所述補強片固定于所述導(dǎo)電襯底的側(cè)面,且所述補強片平行于所述半導(dǎo)體激光芯片與所述導(dǎo)電襯底的堆疊方向,其中,所述補強片的熱膨脹系數(shù)大于所述半導(dǎo)體激光芯片和所述導(dǎo)電襯底組合體的膨脹系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電襯底為陶瓷基板,所述陶瓷基板上設(shè)有多個導(dǎo)電通孔,每個所述導(dǎo)電通孔的兩端分別與所述陶瓷基板上覆設(shè)的金屬層電連接;
或者,所述導(dǎo)電襯底為金屬基板,所述金屬基板與所述補強片之間設(shè)有絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補強片上設(shè)有金屬焊料,所述金屬焊料用于與所述陶瓷基板上的所述金屬層焊接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補強片上的金屬焊料為:熔點小于或等于預(yù)設(shè)熔點的硬焊料,所述預(yù)設(shè)熔點為所述半導(dǎo)體激光芯片的封裝焊料的熔點。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補強片為兩個;
兩個所述補強片對稱設(shè)置于所述導(dǎo)電襯底相對的兩個側(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補強片沿出光方向的尺寸大于或等于所述半導(dǎo)體激光芯片的腔長,且大于或等于所述導(dǎo)電襯底沿出光方向的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補強片的材料包括金屬、陶瓷或金屬復(fù)合材料中的至少一種。
8.一種半導(dǎo)體激光器的疊陣結(jié)構(gòu),其特征在于,包括至少兩個如權(quán)利要求1-7任一項所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu);
至少兩個所述半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體激光芯片與所述導(dǎo)電襯底間隔設(shè)置,并沿所述半導(dǎo)體激光芯片與所述導(dǎo)電襯底鍵合面的垂直方向堆疊排列;
所述補強片平行于所述堆疊排列的方向且設(shè)置于所述導(dǎo)電襯底相對的兩個側(cè)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器的疊陣結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補強片沿所述半導(dǎo)體激光芯片和所述導(dǎo)電襯底堆疊方向上的長度大于或等于相距最遠的兩個導(dǎo)電襯底之間的距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器的疊陣結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:熱沉;
所述半導(dǎo)體激光芯片和所述導(dǎo)電襯底沿所述半導(dǎo)體激光芯片的出光方向垂直設(shè)于所述熱沉上。
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