[實用新型]一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件及系統

有效

• 申請號: 201921402002.8
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN210274096U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 銀珊;石欣桐;黃巍;張文濤;郭玲;胡放榮;熊顯名
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H04B10/90
• 分類號: H04B10/90;H04B10/516
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 石燕妮

1.一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，該編碼器件包括：

分別設置于方形襯底兩側的呈周期性排列的方形結構單元；

所述方形結構單元包括金屬結構和半導體結構；

所述半導體結構包括呈圓柱體的P型半導體(310)和呈圓柱體的N型半導體(31)，所述N型半導體的底面與所述方形襯底(2)貼合，所述P型半導體設置于所述N型半導體上，形成一呈圓形區域的PN結；

所述金屬結構包括貼合于所述方形襯底上的環形金屬層、第一金屬電極(39)和第二金屬電極(35)，每個金屬結構的第一金屬電極相連，每個金屬結構的第二金屬電極相連；

所述環形金屬層環繞所述半導體結構設置，所述半導體結構的表面或/和所述環形金屬層的表面設置有隔離層；

在所述環形金屬層上設置有兩開口，使環形金屬層形成對稱設置的第一圓弧形金屬層(311)和第二圓弧形金屬層(33)，所述第一圓弧形金屬層與所述第二圓弧形金屬層的圓弧均為劣弧；所述第一圓弧形金屬層的圓弧的最高點處向遠離半導體結構中心的方向延伸形成設置有第一連接部(37)，所述第一連接部與所述第一金屬電極連接，第一圓弧形金屬層的圓弧的最高點處朝向半導體結構中心的方向延伸形成設置有第二連接部(38)，所述第二連接部插入到所述N型半導體內并與方形襯底貼合；所述第二圓弧形金屬層的圓弧的最高點處向遠離半導體結構中心的方向延伸形成設置有第三連接部(36)，所述第三連接部與所述第二金屬電極連接，第二圓弧形金屬層的圓弧的最高點處朝向半導體結構中心的方向延伸形成設置有第四連接部(34)，所述第四連接部貼合于所述P型半導體的一側。

2.根據權利要求1所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，所述隔離為硅氧化層。

3.根據權利要求1所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，所述方形襯底為藍寶石襯底。

4.根據權利要求3所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，所述藍寶石襯底的厚度為400～1000微米，所述結構單元的邊長為5～500微米。

5.根據權利要求1所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，所述半導體結構的高為1～2微米。

6.根據權利要求1所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，所述環形金屬層厚度小于所述N型半導體的厚度。

7.根據權利要求1所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，設置于方形襯底一側的結構單元中的環形金屬層的厚度為0.1～0.3微米，其外徑為40～500微米，內徑為20～300微米，開口寬度為4～100微米。

8.根據權利要求1所述的一種電壓控制的太赫茲2位編碼器件，其特征在于，設置于方形襯底另一側的結構單元中的環形金屬層的厚度為0.1～0.3微米，其外徑為50～500微米，內徑為45～500微米，開口寬度為4～100微米。

9.一種電壓控制的太赫茲2位編碼系統，其特征在于，包括如權利要求1～8任意一項所述的編碼器件和控制端，所述控制端具有兩路電壓隔離的輸出，每路輸出包括一正極和一負極，兩個正極連接在襯底一側的金屬結構上，兩個負極連接在襯底另一側的金屬結構上。