[實用新型]一種偏振不敏感型模斑轉換器

有效

• 申請號: 201921401442.1
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN210572857U
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 蔣衛鋒;苗金燁;李濤
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: G02B6/14
• 分類號: G02B6/14;G02B6/126
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：包括襯底層(1)，在襯底層(1)上設有下包層(2)，在下包層(2)上設有前錐形后錐形的模式過渡器(3)，所述模式過渡器(3)包括與TE匹配的硅納米波導(301)、用于過渡TM模式的硅錐形過渡波導(302)以及與TM匹配的硅納米波導(303)，所述與TE匹配的硅納米波導(301)的長度為TE模的耦合長度，所述與TM匹配的硅納米波導(303)的長度為TM模的耦合長度；在與TE匹配的硅納米波導(301)上設有TE模匹配多層波導(4)，在與TM匹配的硅納米波導(303)上設有TM模匹配多層波導(5)，所述TM模匹配多層波導(5)將TM模耦合到TE模匹配多層波導(4)中，所述TE模匹配多層波導(4)將TE模和TM模同時耦合到光纖(7)中，所述光纖(7)與TE模匹配多層波導(4)中心對準；在TE模匹配多層波導(4)和TM模匹配多層波導(5)上設有上覆蓋層(6)。

2.根據權利要求1所述的偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：所述與TE匹配的硅納米波導(301)的長度為100-200μm。

3.根據權利要求1所述的偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：所述硅錐形過渡波導(302)為錐形結構，長度大于50μm。

4.根據權利要求1所述的偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：所述與TM匹配的硅納米波導(303)的長度為100-150μm。

5.根據權利要求1所述的偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：所述TE模匹配多層波導(4)與TM模匹配多層波導(5)之間的間距為100nm-500nm。

6.根據權利要求1所述的偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：所述模式過渡器(3)的材料為硅、磷化銦或砷化鎵。

7.根據權利要求1所述的偏振不敏感型模斑轉換器，其特征在于：所述TE模匹配多層波導(4)為多晶硅、磷化銦或者砷化鎵和二氧化硅相互間隔的多層結構。