[實用新型]存儲單元及反熔絲結構

有效

• 申請號: 201921375981.2
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN210110756U
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 劉志拯
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/108;G11C17/16
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種反熔絲結構，其特征在于，包括：

第一導電層；

反熔絲層，設于所述第一導電層上，且所述反熔絲層包括磁性隧道結；

第二導電層，設于所述反熔絲層遠離所述第一導電層的一側。

2.根據權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括：

襯底，具有承載面，所述承載面形成有溝槽；

隔離結構體，填充于所述溝槽，所述第一導電層設于所述隔離結構體上，且所述第一導電層在所述襯底上的投影位于所述隔離結構體在所述襯底上的投影區域內。

3.根據權利要求2所述的反熔絲結構，其特征在于，所述第二導電層在所述襯底上的投影與所述第一導電層在所述襯底上的投影不重合。

4.根據權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括：

間隙壁，所述間隙壁位于所述第一導電層和所述反熔絲層的側壁上，且所述間隙壁部分包圍所述第一導電層。

5.根據權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括：

第一接觸電極，與所述第一導電層連接；

第二接觸電極，與所述第二導電層連接。

6.根據權利要求5所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括：

保護頂層，設于所述第二導電層遠離所述反熔絲層的一側，所述第二接觸電極嵌入于所述保護頂層。

7.根據權利要求2所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括：

柵氧化層，設于所述隔離結構體與所述第一導電層之間。

8.根據權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述磁性隧道結包括：

磁性參考層，設于所述第一導電層上；

隧道阻擋層，設于所述磁性參考層遠離所述第一導電層的一側；

自由層，設于所述隧道阻擋層遠離所述磁性參考層的一側。

9.一種存儲單元，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的反熔絲結構。