[實用新型]低壓寬輸入逆變電源裝置

有效

• 申請號: 201921374928.0
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN210327415U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 付生;梁磊;向偉煒;陸學軍;萬靜龍
• 申請（專利權）人: 安徽博微智能電氣有限公司
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;H02M3/155;H02M3/335
• 代理公司: 安徽中天恒律師事務所 34121
• 代理人: 朱婭娟

1.一種低壓寬輸入逆變電源裝置，連接于直流電源和交流負載之間，其特征在于，包括依次連接的前級BOOST電路、后級BOOST電路以及逆變電路，還包括MCU控制電路，

所述前級BOOST電路包括：電解電容E2、E3；電容C8；電阻R104、R105、R106；電感L3；MOSFET管M8；以及二極管D6，前級BOOST電路的正極輸入端接L3一端和E3的陽極，E3的陰極接前級BOOST電路的負極輸入端，L3的另一端接D6的陽極并與M8漏極相連，D6的陰極與E2陽極相連并與前級BOOST電路的正極輸出端相連，E2的陰極與前級BOOST電路的負極輸出端相連，M8源極與R106一端相連，R106另一端與前級BOOST電路的負極輸出端相連，M8柵極與R104的一端相連，R104的另一端與所述MCU控制電路相連，M8柵極和前級BOOST電路的負極輸入端之間還接有R10S，前級BOOST電路的正負極輸出端之間還接有C8，前級BOOST電路的負極輸出端與前級BOOST電路的負極輸入端相連，

所述后級BOOST電路包括：MOSFET管M1、M2；二極管D1、D2、D3、D4；電阻R1、R11；電容C1、C13；電解電容E1；以及變壓器T1，后級BOOST電路的正極輸入端與T1的3、4腳相連，T1的3、4腳與M1漏極之間串接有R1和C1，T1的3、4腳與M2的漏極之間串接有R11和C13，M1漏極還與T1的1、2腳相連，M2漏極還與T1的5、6角相連，M1源極與M2源極相連并接至后級BOOST電路D的負極輸入端，M1柵極與M2柵極分別與所述MCU控制電路相連，D1、D2、D3、D4組成整流電路，D1與D2的陰極相連并接至后級BOOST電路正極輸出端，D3與D4的陰極相連并接至后級BOOST電路負極輸出端，T1的10腳與D1陽極及D4陰極相連，T1的8腳與D2陽極及D3陰極相連，后級BOOST電路的正極輸出端連接E1的正極，后級BOOST電路的負極輸出端連接E1的負極，

所述MCU控制電路包括MCU、調理電路和MOSFET驅動電路，對所述前級BOOST電路、所述后級BOOST電路和所述逆變電路的物理量進行采集及控制，

所述逆變電路為半橋逆變電路或全橋逆變電路。

2.根據權利要求1所述的低壓寬輸入逆變電源裝置，其特征在于，所述MCU控制電路還包括調理電路，將來自于所述直流電源和所述交流負載的信號進行調理后接入所述MCU的輸入端。

3.根據權利要求1或2所述的低壓寬輸入逆變電源裝置，其特征在于，還包括連接于所述直流電源和所述前級BOOST電路之間的防反接電路，

所述防反接電路包括：電阻R2、R3、R4；二極管D1；以及MOSFET管Q1，防反接電路的正極輸入端與Q1的漏極相連，Q1的源極與防反接電路的正極輸出端相連，Q1的柵極與R4的一端相連，R4的另一端與D1的陽極相連，D1的陰極與防反接電路的正極輸出端相連，R2、R3串聯并接在防反接電路的正極輸出端與防反接電路的負極輸出端之間，R2與R3之間接D1的陽極，防反接電路的負極輸入端、防反接電路的負極輸出端相連。

4.根據權利要求3所述的低壓寬輸入逆變電源裝置，其特征在于，所述防反接電路還包括電阻R5、二極管D2和發光二極管LED1，防反接電路的正極輸入端接LED1的陰極，LED1的陽極接D2的陰極，D2的陽極與R5的一端相連，R5的另一端與防反接電路的負極輸入端相連。

5.根據權利要求1或2所述的低壓寬輸入逆變電源裝置，其特征在于，所述逆變電路為全橋逆變電路，該全橋逆變電路包括：MOSFET管M3、M4、M5、M6；差模電感L1；以及電容C5，M3與M4的漏極相連并接至全橋逆變電路的正極輸入端，M5與M6的源極相連并接至全橋逆變電路的負極輸入端，M4源極與M5漏極相連并接至L1的一個輸入腳，M3源極與M6漏極相連并接至L1的另一個輸入腳，M3、M4、M5、M6的柵極接至所述MCU控制電路，L1的一個輸出腳接至全橋逆變電路輸出端L，L1的另一個輸出腳接至全橋逆變電路輸出端N，C5接于全橋逆變電路輸出端L和全橋逆變電路輸出端N之間。