[實用新型]新型共漏雙MOSFET結構有效
| 申請號： | 201921374651.1 | 申請日： | 2019-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN210325796U | 公開（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發明（設計）人： | 潘繼;徐鵬 | 申請（專利權）人： | 無錫沃達科半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱曉林 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新吳區菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 新型 共漏雙 mosfet 結構 | ||
【權利要求書】：
1.新型共漏雙MOSFET結構，其特征在于：包括在圓晶上形成的第一單元FET1和第二單元FET2，所述FET1的兩個柵極與所述FET2的兩個柵極中至少存在兩個不同單元的柵極存在于同一個溝槽中。
2.根據權利要求1所述的新型共漏雙MOSFET結構，其特征在于，每個所述新型共漏雙MOSFET結構的所述S2通過三維正面金屬連接。
3.根據權利要求1所述的新型共漏雙MOSFET結構，其特征在于，所述FET1與所述FET2之間的距離小于3μm。
4.根據權利要求1所述的新型共漏雙MOSFET結構，其特征在于，所述FET1的端溝與所述FET2的端溝分別設置在所述FET1與所述FET2距離最遠的兩側。
5.根據權利要求1所述的新型共漏雙MOSFET結構，其特征在于，所述圓晶表面對應所述FET1設有金屬節點S1，所述圓晶表面對應所述FET2設有金屬節點S2。
6.根據權利要求1所述的新型共漏雙MOSFET結構，其特征在于，所述FET1的柵極分布在所述S1兩側，所述FET2的柵極分布在所述S2兩側。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
