[實用新型]一種金屬圖形化的剝離結構

有效

• 申請號: 201921366070.3
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN210575829U
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 甘先鋒;楊水長
• 申請（專利權）人: 無錫英菲感知技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

本申請公開了一種金屬圖形化的剝離結構，包括襯底；位于襯底上表面的膠膜結構層，且膠膜結構層具有一級向上的第一臺階；位于膠膜結構層背離襯底的表面的第一光刻膠層，且第一光刻膠層與膠膜結構層形成一級向上的第二臺階。本申請中由襯底、膠膜結構層、第一光刻膠層共同形成了具有兩級向上的臺階結構的剝離結構，也即該剝離結構具有兩層屋檐結構，一方面增加了襯底上表面與第一光刻膠層上表面之間的距離，可用于沉積厚度較厚的圖形化金屬，另一方面兩層屋檐結構的寬度可以按需求進行調節，使得到的圖形化金屬寬度更窄，且膠膜結構層和第一光刻膠層更加穩固，不易塌陷，從而使得到的圖形化金屬邊緣光滑。

技術領域

本申請涉及半導體金屬圖形化工藝技術領域，特別是涉及一種金屬圖形化的剝離結構。

背景技術

剝離(Lift-Off)工藝是針對一些難以刻蝕的材料(如貴金屬、難以腐蝕材料、腐蝕劑對其他暴露的材料沒有足夠的選擇性)進行圖形定義的工藝。在半導體工藝尤其后端工藝中進行金屬圖形化，金屬圖形化需要依靠剝離結構來實現。

目前，用于金屬圖形化的剝離結構具有一層屋檐結構，其獲得方式有兩種，一種是以LOR(Lift-off resist)光刻膠為襯底，在襯底上涂覆一層光刻膠并進行圖形化，得到金屬圖形化的剝離結構；另一種方式是在襯底上先涂一層光刻膠，然后對該層光刻膠進行整體曝光，然后再涂覆一層光刻膠并進行光刻顯影得到金屬圖形化的剝離結構。

在得到金屬圖形化的剝離結構后，再沉積金屬層，然后再將光刻膠剝離以得到圖形化金屬，但是第一種方式得到的剝離結構的懸空高度、懸空橫向寬度分別受LOR光刻膠高度、性質的限制，得到的圖形化金屬厚度也受LOR光刻膠高度的限制，圖形化金屬邊緣具有毛刺、凹凸不平，不夠美觀，甚至影響器件性能，金屬短路等異常；另一種方式得到的剝離結構受光刻顯影的影響，使得整體曝光的光刻膠被顯影掏空吃掉的懸浮結構過大，容易造成上層光刻膠塌陷，無法制作出好的圖形化金屬或小條寬的圖形化金屬。

因此，如何提供一種剝離結構，使得利用該結構制得的圖形化金屬邊緣光滑，線寬可控，且能夠獲得寬度比較窄、厚度較厚的圖形化金屬。

實用新型內容

本申請的目的是提供一種金屬圖形化的剝離結構，以使得利用該剝離結構可以得到邊緣光滑、厚度較厚、寬度比較窄的圖形化金屬。

為解決上述技術問題，本申請提供一種金屬圖形化的剝離結構，包括：

襯底；

位于所述襯底上表面的膠膜結構層，且所述膠膜結構層具有一級向上的第一臺階；

位于所述膠膜結構層背離所述襯底的表面的第一光刻膠層，且所述第一光刻膠層與所述膠膜結構層形成一級向上的第二臺階。

可選的，所述膠膜結構層包括：

位于所述襯底上表面的LOR光刻膠層；

位于所述LOR光刻膠層背離所述襯底的表面的第二光刻膠層。

可選的，所述膠膜結構層包括：

位于所述襯底上表面的第三光刻膠層；

位于所述第三光刻膠層背離所述襯底的表面的第四光刻膠層。

可選的，所述LOR光刻膠層的厚度取值范圍為至包括端點值。

可選的，所述第二臺階的寬度取值范圍為0.5μm至5.0μm，包括端點值。

可選的，所述第一臺階的寬度取值范圍為0.5μm至2.0μm，包括端點值。

可選的，所述第一光刻膠層的厚度取值范圍為0.5μm至5.0μm，包括端點值。