[實用新型]制備二維晶體材料的化學氣相沉積設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921366056.3
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN210394591U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設計）人: 鐘國仿;陳炳安;張燦
• 申請（專利權）人: 深圳市納設智能裝備有限公司
• 主分類號: C30B25/00
• 分類號: C30B25/00;C30B29/64;C23C16/448;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 陳文斌

1.一種制備二維晶體材料的化學氣相沉積設備，其特征在于，包括：

真空室；

樣品臺，所述樣品臺設置在所述真空室內，所述樣品臺內設置有第一加熱裝置；

氣體分配器，所述氣體分配器設置在所述真空室內；

第一控溫室，用于放置第一原材料，并用于將所述第一原材料加熱以產生第一原材料的蒸氣；

第一進氣管，連通所述第一控溫室和所述氣體分配器；

第二控溫室，用于放置固態(tài)或液態(tài)第二原材料，并用于所述第二原材料加熱以產生第二原材料的蒸氣；

第二進氣管，連通所述第二控溫室和所述氣體分配器；

第三進氣管，一端用于連通所述第二原材料的氣體源，另一端連通所述氣體分配器；

三個第四進氣管，所述第四進氣管用于向所述氣體分配器通載體氣體，三個所述第四進氣管分別連通所述第一進氣管、所述第二進氣管以及所述第三進氣管。

2.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述第一進氣管和所述第二進氣管的外側分別設有第二加熱裝置和第三加熱裝置，所述第二加熱裝置和所述第三加熱裝置分別用于對所述第一進氣管的整體和所述第二進氣管的整體進行加熱。

3.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述第二控溫室用于放置液態(tài)第二原材料，所述化學氣相沉積設備包括第五進氣管，所述第五進氣管的進氣端與第四進氣管連通，所述第五進氣管的出氣端與所述第二控溫室連通，所述第五進氣管的出氣端用于插入所述第二原材料中；或者是，

所述第二控溫室用于放置固態(tài)粉末的第二原材料，所述第二控溫室內設有冒泡器。

4.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述化學氣相沉積設備還包括升降裝置，所述升降裝置的一端連接所述樣品臺，另一端連接所述真空室，所述升降裝置用于調節(jié)所述樣品臺與所述氣體分配器之間的距離。

5.如權利要求4所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述化學氣相沉積設備還包括驅動件，所述升降裝置與所述真空室轉動連接，所述驅動件與所述升降裝置連接，以驅動所述升降裝置轉動。

6.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述樣品臺的上表面具有圓形的安裝區(qū)域，所述樣品臺的上表面設有多個氣孔，多個所述氣孔沿安裝區(qū)域的邊緣間隔設置，所述氣孔的出氣方向沿所述安裝區(qū)域的順時針或逆時針方向傾斜，所述氣孔用于連通載體氣體源，以驅動所述樣品臺上的基底轉動。

7.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，沉積設備所述第一進氣管、所述第二進氣管、所述第三進氣管和所述第四進氣管上均設有質量流量計和氣路閥門。

8.如權利要求4所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述化學氣相沉積設備還包括等離子體發(fā)生器，所述等離子體發(fā)生器包括兩個高頻端子，兩所述高頻端子其中一者與所述氣體分配器連接，另一者與所述樣品臺連接。

9.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述真空室設有第四加熱裝置。

10.如權利要求1至9任一項所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述第一控溫室用于加熱過渡金屬源以產生蒸氣，所述第二控溫室用于加熱硫族材料以產生蒸氣。