[實用新型]一種提高氮化鎵器件外延層質量的結構

有效

• 申請號: 201921362648.8
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN210245455U
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 廖宸梓;王柏鈞;陳憲冠;葉順閔
• 申請（專利權）人: 聚力成半導體（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京專贏專利代理有限公司 11797
• 代理人: 于剛

1.一種提高氮化鎵器件外延層質量的結構，包括襯底（1）、i-GaN層（5）和GaN cap層（8），所述襯底（1）位于最底層，GaN cap層（8）位于最頂層，襯底（1）上部設置有AlN緩沖層（2），GaN cap層（8）的下方設置有AlGaN barrier層（7），i-GaN層（5）設置在AlGaN barrier層（7）的下方，i-GaN層（5）的下部設置有c-GaN層（4），其特征在于，c-GaN層（4）和AlN緩沖層（2）之間設置有緩變式多層緩沖層（3），AlGaN barrier層（7）和i-GaN層（5）之間設置有AlNspacer層（6）。

2.根據權利要求1所述的提高氮化鎵器件外延層質量的結構，其特征在于，所述緩變式多層緩沖層（3）中緩沖層的層數為3-10層。

3.根據權利要求1或2所述的提高氮化鎵器件外延層質量的結構，其特征在于，所述緩變式多層緩沖層（3）中緩沖層均為AlGaN結構。

4.根據權利要求1所述的提高氮化鎵器件外延層質量的結構，其特征在于，所述襯底（1）采用Si層或SiC層。

5.根據權利要求1所述的提高氮化鎵器件外延層質量的結構，其特征在于，所述緩沖式多層緩沖層（3）包括Al_x1Ga_1-x1N緩沖層（9）、Al_x2Ga_1-x2N緩沖層（10）和Al_x3Ga_1-x3N緩沖層（11），x1、x2和x3均代表對應的Al含量，1-x1、1-x2和1-x3均代表對應的Ga含量。

6.根據權利要求1所述的提高氮化鎵器件外延層質量的結構，其特征在于，所述襯底（1）的表面設置有至少一條凹下或者凸起的條狀圖形。

7.根據權利要求1所述的提高氮化鎵器件外延層質量的結構，其特征在于，所述緩變式多層緩沖層（3）中緩沖層的厚度為100-1000nm。