[實用新型]一種多層單元NAND閃存有效
| 申請號： | 201921361291.1 | 申請日： | 2019-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN210052532U | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發明（設計）人： | 陳惕生;耿志遠 | 申請（專利權）人： | 本征信息技術(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/26 | 分類號： | G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 源極電壓 選擇器 源極線 位線 本實用新型 電壓輸入端 鎖存器模塊 多層單元 感測電路 輸入參數 串連接 可連接 生成器 | ||
【權利要求書】：
1.一種多層單元NAND閃存，包括閃存單元陣列、讀/寫電路、輸入輸出緩沖區、控制電路、行譯碼器和列譯碼器，其特征在于，所述的讀/寫電路中，與不同位線連接的NAND串的源極連接至獨立的源極線，源極線與位線一一對應。
2.根據權利要求1所述的多層單元NAND閃存，其特征在于，所述的每個源極線均連接至一個對應的電壓選擇器的輸出端。
3.根據權利要求2所述的多層單元NAND閃存，其特征在于，包括一個或多個電壓生成器，所述的電壓生成器提供多個輸出電壓，所述多個輸出電壓包括待測字線柵極電壓與各個參考閾值電壓的差。
4.根據權利要求3所述的多層單元NAND閃存，其特征在于，所述的電壓選擇器的多個電壓輸入端連接至所述電壓生成器的輸出端。
5.根據權利要求4所述的多層單元NAND閃存，其特征在于，所述的電壓選擇器的輸入參數端連接至對應位線感測電路的鎖存器模塊的輸出端。
6.根據權利要求1-5任一項所述的多層單元NAND閃存，其特征在于，所述的多層單元NAND閃存是一種3D多層單元NAND閃存。
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