[實(shí)用新型]絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)電路、控制器和電器設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921360794.7
• 申請(qǐng)日: 2019-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN210405252U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳勇平;李東濤;賀小林;楊帆;劉文斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/081
• 分類號(hào): H03K17/081;H03K17/22;H03K17/567
• 代理公司: 北京細(xì)軟智谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11471
• 代理人: 王金寶

本實(shí)用新型涉及一種絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)電路、控制器和電器設(shè)備，包括驅(qū)動(dòng)芯片、功放模塊和開關(guān)模塊；所述驅(qū)動(dòng)芯片與所述功放模塊連接；所述功放模塊與所述開關(guān)模塊連接；所述開關(guān)模塊與絕緣柵雙極型晶體管連接；所述驅(qū)動(dòng)芯片在上電復(fù)位過程中，所述功放模塊的功放電流小于所述開關(guān)模塊的驅(qū)動(dòng)電流，所述開關(guān)模塊斷開，所述絕緣柵雙極型晶體管維持原狀態(tài)；當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)芯片完成上電復(fù)位時(shí)，所述功放模塊的功放電流大于或者等于所述開關(guān)模塊的驅(qū)動(dòng)電流，所述開關(guān)模塊閉合，所述絕緣柵雙極型晶體管動(dòng)作。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，能夠防止驅(qū)動(dòng)芯片在上電復(fù)位期間產(chǎn)生無用驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，IGBT被誤驅(qū)動(dòng)，進(jìn)而提高控制器的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)電路、控制器和電器設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著工業(yè)化的伸入發(fā)展，對(duì)控制器中的功率開關(guān)的要求也越來越高，通常情況，控制器中的功率開關(guān)大多為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)。

現(xiàn)有技術(shù)中，驅(qū)動(dòng)板上通常是通過開關(guān)電源或者線性電源給驅(qū)動(dòng)芯片供電，再通過驅(qū)動(dòng)芯片對(duì)功率開關(guān)驅(qū)動(dòng)。但是，驅(qū)動(dòng)芯片在驅(qū)動(dòng)IGBT時(shí)，由于在驅(qū)動(dòng)芯片在剛上電的過程中，需要進(jìn)行復(fù)位，在復(fù)位期間可能產(chǎn)生無用的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可能導(dǎo)致IGBT被誤驅(qū)動(dòng)，從而降低了控制器的可靠性。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)電路、控制器和電器設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于IGBT易出現(xiàn)誤驅(qū)動(dòng)現(xiàn)象，從而降低了控制器的可靠性的問題。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型提供一種IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，包括驅(qū)動(dòng)芯片、功放模塊和開關(guān)模塊；

所述驅(qū)動(dòng)芯片與所述功放模塊連接；

所述功放模塊與所述開關(guān)模塊連接；

所述開關(guān)模塊與絕緣柵雙極型晶體管連接；

所述驅(qū)動(dòng)芯片在上電復(fù)位過程中，所述功放模塊的功放電流小于所述開關(guān)模塊的驅(qū)動(dòng)電流，所述開關(guān)模塊斷開，所述絕緣柵雙極型晶體管維持原狀態(tài)；

當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)芯片完成上電復(fù)位時(shí)，所述功放模塊的功放電流大于或者等于所述開關(guān)模塊的驅(qū)動(dòng)電流，所述開關(guān)模塊閉合，所述絕緣柵雙極型晶體管動(dòng)作。

進(jìn)一步地，上述所述的IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，還包括濾波模塊；

所述驅(qū)動(dòng)芯片通過所述濾波模塊與所述功放模塊相連；

所述濾波模塊對(duì)所述驅(qū)動(dòng)芯片輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行濾波處理。

進(jìn)一步地，上述所述的IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，所述濾波模塊包括第一電阻、第二電阻和電容；

所述驅(qū)動(dòng)芯片與所述第一電阻的第一端相連；

所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端相連；

所述第二電阻的第二端接地，所述第二電阻與所述電容并聯(lián)；

所述第二電阻的第一端還與所述功放模塊相連。

進(jìn)一步地，上述所述的IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，所述濾波模塊還包括脈沖信號(hào)抑制組件；

所述第二電阻的第一端通過所述脈沖信號(hào)抑制組件與所述功放模塊相連。

進(jìn)一步地，上述所述的IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，所述脈沖信號(hào)抑制組件為施密特觸發(fā)器。

進(jìn)一步地，上述所述的IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，所述功放模塊包括第三電阻、第四電阻和功放開關(guān)；

所述第三電阻的第一端與所述脈沖信號(hào)抑制組件相連；

所述第三電阻的第二端與功放開關(guān)的第一端相連；