本實(shí)用新型提供一種反激式拓?fù)涓边呁秸麟娐罚ㄕ麟娐泛蜑V波電路；所述的整流電路包括整流MOS管Q1；所述的整流MOS管Q1設(shè)置在變壓器TIA副邊繞組的異相端，整流MOS管Q1的S、D極分別與變壓器副邊繞組的低端SD和副邊同步整流電路輸出VIS地相連。本實(shí)用新型中，采用導(dǎo)通電阻極低的MOS管來(lái)代替整流二極管，大大降低了輸出損耗，效率得到提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及反激式拓?fù)涓边呁秸麟娐贰?/p>

背景技術(shù)

反激式轉(zhuǎn)換器(反激變換器)的核心部件包括開(kāi)關(guān)，變壓器，二極管和電容。開(kāi)關(guān)由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制，通過(guò)閉合與導(dǎo)通在變壓器兩端產(chǎn)生高頻方波信號(hào)。變壓器將產(chǎn)生的方波信號(hào)以磁場(chǎng)感應(yīng)的方式傳遞到次級(jí)線圈。在次級(jí)線圈兩端通過(guò)整流和濾波在輸出端得到穩(wěn)定的直流輸出。反激變換器廣泛應(yīng)用于交流直流(AC/DC)和直流直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換，并在輸入級(jí)和輸出級(jí)之間提供絕緣隔離，是開(kāi)關(guān)電源的一種。應(yīng)用范圍包括低功率的開(kāi)關(guān)電源，顯像管的高壓電源，以及絕緣柵驅(qū)動(dòng)器，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，應(yīng)用廣泛的優(yōu)點(diǎn)。反激變換器具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，輸入輸出隔離，成本低，空間要求少等優(yōu)點(diǎn)，在小功率電源中得到了廣泛的應(yīng)用。

如圖1所示，為目前反激變換器的原理圖，變壓器原邊，輸入信號(hào)Ui加到變壓器原邊線圈兩端，利用PWM信號(hào)控制開(kāi)關(guān)K以磁場(chǎng)感應(yīng)的方式傳送到副邊，在變壓器副邊，整流二極管D放置在高端(副邊線圈的同相端)，接著就是濾波電容C進(jìn)行濾波，對(duì)負(fù)載RL供電。但隨著輸出電流的增大，輸出電壓較低時(shí)，這樣的反激變換器副邊整流電路的二極管D導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗大，效率嚴(yán)重降低，已滿足不了日新月異的需求。

另外，在一般的同步驅(qū)動(dòng)方式中，整流管都會(huì)，采用控制芯片來(lái)完成，但由于芯片外圍電路復(fù)雜，加大了整體空間，同時(shí)也增加了整機(jī)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)目前反激變換器副邊隨著輸出電流的增大，輸出電壓較低時(shí)，這樣的反激變換器副邊整流電路的二極管D導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗大，效率嚴(yán)重降低，已滿足不了日新月異的需求的不足，提供一種反激式拓?fù)涓边呁秸麟娐贰２捎脤?dǎo)通電阻極低的MOS管來(lái)代替整流二極管，大大降低了輸出損耗，效率得到提升。

本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)其技術(shù)目的所采用的技術(shù)方案是：一種反激式拓?fù)涓边呁秸麟娐罚ㄕ麟娐泛蜑V波電路；所述的整流電路包括整流MOS管Q1；所述的整流MOS管Q1設(shè)置在變壓器TIA副邊繞組的異相端，整流MOS管Q1的S、D極分別與變壓器副邊繞組的低端SD和副邊同步整流電路輸出VIS地相連。

本實(shí)用新型中，采用導(dǎo)通電阻極低的MOS管來(lái)代替整流二極管，大大降低了輸出損耗，效率得到提升。

進(jìn)一步的，上述的反激式拓?fù)涓边呁秸麟娐分校哼€包括對(duì)整流MOS管Q1進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的同步驅(qū)動(dòng)電路；所述的同步驅(qū)動(dòng)電路包括三極管Q27、三極管Q26、三極管Q25、二極管D19、電阻R153、電阻R152、電阻R154、電阻R151、電阻R150；

變壓器副邊繞組的低端SD通過(guò)二極管D19接三極管Q27的基極；

副邊同步整流電路的輸出端+V經(jīng)電阻R153、電阻R152接三極管Q27的基極，三極管Q27的發(fā)射極接副邊同步整流電路輸出VIS地，三極管Q27的集電極分別接三極管Q26、三極管Q25的基極；

三極管Q26的集電極接電阻R153和電阻R152相連的公共端，三極管Q25的集電極接變壓器副邊繞組的低端SD；

三極管Q26和三極管Q25的發(fā)射極相連；

電阻R153和電阻R152相連的公共端通過(guò)電阻R154分別接三極管Q26、三極管Q25的基極；

三極管Q26和三極管Q25的發(fā)射極相連的公共端通過(guò)電阻R151接整流MOS管Q1的G極；在整流MOS管Q1的G、S極之間連接有電阻R150。