[實用新型]具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET

有效

• 申請號: 201921350773.7
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN210429829U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 錢振華;張艷旺
• 申請（專利權）人: 無錫橙芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET，其特征在于，所述具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET包括：

半導體基板，所述半導體基板包括N型襯底（1）和生長在N型襯底（1）上的外延層，所述外延層包括下外延層（2）和生長在所述下外延層（2）上的上外延層（3），所述上外延層（3）的上表面為所述半導體基板的第一主面，N型襯底（1）的下表面為所述半導體基板的第二主面，所述下外延層（2）中設有P型浮島區（4）；

所述上外延層（3）中開設有溝槽（5），所述溝槽（5）從第一主面向第二主面方向延伸；

所述溝槽（5）的上部為柵極區，溝槽（5）的下部為屏蔽柵區，所述柵極區和屏蔽柵區之間隔離有氧化層；所述柵極區中設有柵極層（511）和柵極氧化層（512）；所述屏蔽柵區中設有屏蔽柵層（521）和屏蔽柵氧化層（522）；

所述溝槽（5）兩側的上外延層（3）中設有P型體區（6），所述P型體區（6）上設有N型源極區（7），所述半導體基板的第一主面上設有絕緣介質層（8），所述絕緣介質層（8）中開設有接觸孔（9），所述接觸孔（9）的下端依次穿過N型源極區（7）和P型體區（6），所述接觸孔（9）中填充有金屬，所述絕緣介質層（8）上設有金屬層（10），所述接觸孔（9）中填充的金屬將金屬層（10）、N型源極區（7）和P型體區（6）連通。

2.如權利要求1所述的具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET，其特征在于，所述溝槽（5）的槽底伸入所述下外延層（2）中1~2μm。

3.如權利要求1所述的具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET，其特征在于，所述P型浮島區（4）有多個，則多個P型浮島區（4）在所述下外延層（2）中從下至上依次間隔設置。

4.如權利要求1所述的具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET，其特征在于，所述屏蔽柵氧化層（522）的厚度為：3000A~10000A。

5.如權利要求1所述的具有浮島結構的高壓屏蔽柵MOSFET，其特征在于，所述柵極氧化層（512）的厚度為：500A~1000A。