[實用新型]絕緣柵極晶體管、智能功率模塊及空調(diào)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921350198.0
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN210120139U
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮宇翔;劉利書
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東美的制冷設(shè)備有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 尚偉凈

1.一種絕緣柵極晶體管，其特征在于，包括：

漂移區(qū)；

P阱區(qū)，所述P阱區(qū)設(shè)置在所述漂移區(qū)的一側(cè)；

發(fā)射極區(qū)，所述發(fā)射極區(qū)設(shè)置在所述P阱區(qū)遠離所述漂移區(qū)的一側(cè)；

發(fā)射極，所述發(fā)射極設(shè)置在所述發(fā)射極區(qū)遠離所述P阱區(qū)的表面；

柵氧化層，所述柵氧化層設(shè)置在所述發(fā)射極區(qū)和所述P阱區(qū)遠離所述漂移區(qū)的表面；

柵極，所述柵極設(shè)置在所述柵氧化層遠離所述漂移區(qū)的表面；

二極管，所述二極管的陽極與所述發(fā)射極電連接，所述二極管的陰極與所述柵極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述二極管設(shè)置在所述柵極和所述發(fā)射極區(qū)以外的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述發(fā)射極區(qū)圍繞所述柵極設(shè)置，所述二極管設(shè)置在所述柵極遠離所述發(fā)射極區(qū)的一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述陽極環(huán)繞所述陰極設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述陽極的材料與所述P阱區(qū)的材料相同；和/或，所述陰極的材料與所述發(fā)射極區(qū)的材料相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述二極管遠離所述漂移區(qū)的表面設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層具有第一過孔和第二過孔，所述柵極通過穿過所述第一過孔的第一導線與所述陰極電連接，所述發(fā)射極通過穿過所述第二過孔的第二導線與所述陽極電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述二極管的擊穿電壓為22～27V。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的絕緣柵極晶體管，其特征在于，所述二極管的擊穿電壓為25V。

9.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：

電路基板，所述電路基板上設(shè)置有電路布線，所述電路布線包括焊接器件區(qū)；

至少一個權(quán)利要求1～8中任一項所述的絕緣柵極晶體管，所述絕緣柵極晶體管的底側(cè)面焊接于所述焊接器件區(qū)，所述絕緣柵極晶體管的頂側(cè)面通過金屬連接橋接至所述電路布線。

10.一種空調(diào)器，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的智能功率模塊。