[實(shí)用新型]一種提高單晶生長(zhǎng)速率裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921349280.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN210394588U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬騰飛;汪奇;馬新成;鄒昌盛;段永兵;王軍;陳龑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新疆晶科能源有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 孟阿妮;張小勇

本實(shí)用新型公開了光伏設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域的一種提高單晶生長(zhǎng)速率裝置，包括儲(chǔ)料箱和換熱裝置，所述儲(chǔ)料箱的內(nèi)腔底部中間位置插接有晶棒，所述儲(chǔ)料箱的內(nèi)腔底部通過焊接固定有多個(gè)支撐柱，所述儲(chǔ)料箱內(nèi)腔左側(cè)壁插接有進(jìn)水管和出水管，所述進(jìn)水管和所述出水管與所述儲(chǔ)料箱焊接固定，所述換熱裝置通過焊接固定于所述支撐柱的頂部，所述換熱裝置位于所述晶棒的外部；該提高單晶生長(zhǎng)速率裝置的設(shè)置，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，在晶棒的外部安裝有換熱裝置，換熱裝置的外壁和內(nèi)壁分別通過氧化劑氧化，提高熱輻射系數(shù)，在換熱裝置的內(nèi)側(cè)壁開有鼓包，鼓包能夠增大換熱面積，從而能夠帶走更多的熱量，提高單晶硅的生長(zhǎng)速度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光伏設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種提高單晶生長(zhǎng)速率裝置。

背景技術(shù)

在直拉單晶硅中，提高生產(chǎn)效率主要有減少非有效產(chǎn)出的時(shí)間和提高有效產(chǎn)出時(shí)的效率。單晶的有效產(chǎn)出時(shí)間只有在等徑階段，等徑階段占總時(shí)間的一半以上。現(xiàn)有的單晶生長(zhǎng)裝置存在一個(gè)嚴(yán)重的問題就是在使用的時(shí)候，換熱面積小，熱輻射系數(shù)小，從而不能夠及時(shí)的將熱量排出，而影響單晶的生長(zhǎng)速度。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種提高單晶生長(zhǎng)速率裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的單晶生長(zhǎng)裝置在使用的時(shí)候，換熱面積小，熱輻射系數(shù)小，從而不能夠及時(shí)的將熱量排出，而影響單晶的生長(zhǎng)速度的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種提高單晶生長(zhǎng)速率裝置，包括儲(chǔ)料箱和換熱裝置，所述儲(chǔ)料箱的內(nèi)腔底部中間位置插接有晶棒，所述儲(chǔ)料箱的內(nèi)腔底部通過焊接固定有多個(gè)支撐柱，所述儲(chǔ)料箱內(nèi)腔左側(cè)壁插接有進(jìn)水管和出水管，所述進(jìn)水管和所述出水管與所述儲(chǔ)料箱焊接固定，所述換熱裝置通過焊接固定于所述支撐柱的頂部，所述換熱裝置位于所述晶棒的外部，所述換熱裝置包括主箱體、第一延長(zhǎng)體和第二延長(zhǎng)體，所述第一延長(zhǎng)體焊接固定于所述主箱體的頂部，所述第二延長(zhǎng)體焊接固定于所述主箱體的底部，所述主箱體、所述第一延長(zhǎng)體和所述第二延長(zhǎng)體的內(nèi)腔連通，所述主箱體的內(nèi)側(cè)壁沖壓成型有鼓包，所述第一延長(zhǎng)體的外側(cè)壁焊接固定有第一連接管，所述第二延長(zhǎng)體的外側(cè)壁焊接固定有第二連接管，所述進(jìn)水管和所述出水管分別與所述第二連接管和所述第一連接管連通。

優(yōu)選的，所述進(jìn)水管和所述出水管的內(nèi)部均套有橡膠圈，所述進(jìn)水管和所述出水管通過所述橡膠圈套于所述第二連接管和所述第一連接管的外部。

優(yōu)選的，所述鼓包為半圓形結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述支撐柱的數(shù)量為三個(gè)，三個(gè)呈現(xiàn)環(huán)形分布于所述晶棒的外部。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：該提高單晶生長(zhǎng)速率裝置的設(shè)置，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，在晶棒的外部安裝有換熱裝置，換熱裝置的外壁和內(nèi)壁分別通過氧化劑氧化，提高熱輻射系數(shù)，在換熱裝置的內(nèi)側(cè)壁開有鼓包，鼓包能夠增大換熱面積，從而能夠帶走更多的熱量，提高單晶硅的生長(zhǎng)速度。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型換熱裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：儲(chǔ)料箱100，晶棒110，支撐柱120，進(jìn)水管130，出水管140，換熱裝置200，主箱體210，鼓包211，第一延長(zhǎng)體220，第一連接管221、第二延長(zhǎng)體230，第二連接管231。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型提供一種提高單晶生長(zhǎng)速率裝置，用于提高熱輻射系數(shù)、增大換熱面積，帶走更多的熱量，請(qǐng)參閱圖1-2，包括儲(chǔ)料箱100和換熱裝置200。