[實(shí)用新型]功率半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921347175.4
• 申請(qǐng)日: 2019-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210429826U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭依騰;史波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/45
• 分類號(hào): H01L29/45;H01L21/28
• 代理公司: 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662
• 代理人: 韓來(lái)兵

1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括由下至上依次層疊的背面金屬層(1)、襯底(2)、外延層(3)和正面結(jié)構(gòu)(4)，所述背面金屬層(1)通過(guò)設(shè)置于所述襯底(2)內(nèi)的金屬(5)與所述外延層(3)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底(2)內(nèi)形成有貫穿的引線孔(6)，用于連接所述背面金屬層(1)和所述外延層(3)的金屬(5)填充于所述引線孔(6)內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述正面結(jié)構(gòu)(4)包括源極、漏極、柵極、氧化層、場(chǎng)板和鈍化層中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底(2)包括SiC襯底、Si襯底、藍(lán)寶石襯底和GaN襯底中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述引線孔(6)在功率半導(dǎo)體器件的管芯原胞區(qū)范圍內(nèi)均勻分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬(5)的材質(zhì)為鎢，所述金屬(5)通過(guò)鎢塞工藝填充在所述引線孔(6)內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述背面金屬層(1)通過(guò)墊積的方式形成在所述襯底(2)上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述背面金屬層(1)的材質(zhì)為Al、Ti、Ni或Ag。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述引線孔(6)通過(guò)干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝在所述襯底(2)內(nèi)刻蝕而成。