[實用新型]具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構

有效

• 申請號: 201921344802.9
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN211404508U
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 錢振華;張艷旺
• 申請（專利權）人: 無錫橙芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構，其特征在于，所述具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構包括：半導體基板，所述半導體基板包括N型重摻雜襯底（1）以及位于所述N型重摻雜襯底（1）上的N型外延層（2），所述N型外延層（2）的上表面為所述半導體基板的第一主面，N型重摻雜襯底（1）的下表面為所述半導體基板的第二主面；

在所述N型外延層（2）中形成溝槽（3），所述溝槽（3）從第一主面向第二主面延伸；所述溝槽（3）的下部內壁為階梯形，形成階梯形的屏蔽柵區（4），所述階梯形的屏蔽柵區（4）包括屏蔽柵（410）和位于所述屏蔽柵（410）兩側的第一氧化層（420）；所述溝槽（3）的上部形成柵極區（5），所述柵極區（5）和屏蔽柵區（4）之間通過氧化層隔開，所述柵極區（5）包括柵極導電多晶硅（510）和位于所述柵極導電多晶硅（510）兩側的第二氧化層（520）；

所述溝槽（3）兩側的N型外延層（2）中設有P型體區（6），所述P型體區（6）上設有N型源極區（7），所述溝槽（3）和N型源極區（7）上設有絕緣介質層（8），所述絕緣介質層（8）兩側設有源極接觸孔（9），所述源極接觸孔（9）內填充有金屬，所述絕緣介質層（8）上設有源極金屬層（10），所述源極金屬層（10）將兩個源極接觸孔（9）中的金屬連接。

2.如權利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構，其特征在于，所述第一氧化層（420）的內側面和外側面均為階梯形，所述屏蔽柵（410）的外側面為階梯形。

3.如權利要求2所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構，其特征在于，所述階梯形第一氧化層（420）的階梯個數為3~5個，所述每層階梯的第一氧化層（420）的厚度相等且均為3000A~10000A。

4.如權利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構，其特征在于，所述第二氧化層（520）的厚度為1000~2000A。

5.如權利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構，其特征在于，階梯形溝槽（3）下部的階梯數為3~5個，每個階梯的高度為1~3μm。

6.如權利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結構，其特征在于，所述溝槽（3）的深度為5~10μm。