[實(shí)用新型]具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921344802.9
• 申請(qǐng)日: 2019-08-19
• 公開（公告）號(hào): CN211404508U
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢振華;張艷旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫橙芯微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括N型重?fù)诫s襯底（1）以及位于所述N型重?fù)诫s襯底（1）上的N型外延層（2），所述N型外延層（2）的上表面為所述半導(dǎo)體基板的第一主面，N型重?fù)诫s襯底（1）的下表面為所述半導(dǎo)體基板的第二主面；

在所述N型外延層（2）中形成溝槽（3），所述溝槽（3）從第一主面向第二主面延伸；所述溝槽（3）的下部?jī)?nèi)壁為階梯形，形成階梯形的屏蔽柵區(qū)（4），所述階梯形的屏蔽柵區(qū)（4）包括屏蔽柵（410）和位于所述屏蔽柵（410）兩側(cè)的第一氧化層（420）；所述溝槽（3）的上部形成柵極區(qū)（5），所述柵極區(qū)（5）和屏蔽柵區(qū)（4）之間通過氧化層隔開，所述柵極區(qū)（5）包括柵極導(dǎo)電多晶硅（510）和位于所述柵極導(dǎo)電多晶硅（510）兩側(cè)的第二氧化層（520）；

所述溝槽（3）兩側(cè)的N型外延層（2）中設(shè)有P型體區(qū)（6），所述P型體區(qū)（6）上設(shè)有N型源極區(qū)（7），所述溝槽（3）和N型源極區(qū)（7）上設(shè)有絕緣介質(zhì)層（8），所述絕緣介質(zhì)層（8）兩側(cè)設(shè)有源極接觸孔（9），所述源極接觸孔（9）內(nèi)填充有金屬，所述絕緣介質(zhì)層（8）上設(shè)有源極金屬層（10），所述源極金屬層（10）將兩個(gè)源極接觸孔（9）中的金屬連接。

2.如權(quán)利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一氧化層（420）的內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面均為階梯形，所述屏蔽柵（410）的外側(cè)面為階梯形。

3.如權(quán)利要求2所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述階梯形第一氧化層（420）的階梯個(gè)數(shù)為3~5個(gè)，所述每層階梯的第一氧化層（420）的厚度相等且均為3000A~10000A。

4.如權(quán)利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二氧化層（520）的厚度為1000~2000A。

5.如權(quán)利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，階梯形溝槽（3）下部的階梯數(shù)為3~5個(gè)，每個(gè)階梯的高度為1~3μm。

6.如權(quán)利要求1所述的具有階梯深槽屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽（3）的深度為5~10μm。