[實(shí)用新型]一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921337381.7
• 申請(qǐng)日: 2019-08-16
• 公開（公告）號(hào): CN210325778U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張博威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華宇華源電子科技（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 葉新平

1.一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括金屬載體，位于金屬載體上的金屬連接區(qū)，安裝于金屬連接區(qū)上的多個(gè)芯片，所述金屬載體為一體化的金屬材料或者在絕緣基材表面附著一層金屬導(dǎo)體的載體，所述金屬連接區(qū)包括多個(gè)金屬焊盤或者多條電路走線和多個(gè)金屬焊盤或者阻焊層，所述金屬焊盤上設(shè)有焊料層，焊料層上設(shè)有助焊層，所述電路走線位于阻焊層之下，電路走線的端點(diǎn)與金屬焊盤電連接，金屬焊盤通過(guò)焊料層的焊料及高溫與芯片的焊盤或者電極焊接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述一體化的金屬材料包括金屬基材和金屬導(dǎo)體，當(dāng)完成芯片焊接后，通過(guò)物理方式，將金屬基材與金屬導(dǎo)體進(jìn)行剝離或者將絕緣基材與金屬導(dǎo)體進(jìn)行剝離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：每個(gè)所述芯片的尺寸、厚度、焊盤大小各不相同，芯片的尺寸≥0.15*0.15mm，芯片的厚度≥0.08mm，芯片的焊盤尺寸≥20*20μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬焊盤的尺寸≥20*20μm，金屬焊盤高度≥20μm，每個(gè)金屬焊盤的高度相等或者不相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述焊料層的焊料厚度范圍為3-5μm，焊料厚度的精度為±1μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電路走線的最小寬度≥20μm，電路走線的高度≥20μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述助焊層采用固體或者膏狀或者液體狀材料之任一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述焊料為錫或者銦或者錫銅合金之任一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種高密度芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬焊盤為銅或者鎳之任一種。