[實(shí)用新型]一種DFN器件的封裝結(jié)構(gòu)及無引線框架載體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921336669.2
• 申請(qǐng)日: 2019-08-16
• 公開（公告）號(hào): CN210325784U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張博威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華宇華源電子科技（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31;H01L21/683;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/607
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 葉新平

本實(shí)用新型一種DFN器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括一種無引線框架載體，載體表面設(shè)有多個(gè)第一金屬焊盤，第一金屬焊盤的表面設(shè)有第二金屬焊盤，第二金屬焊盤表面設(shè)有焊料層，焊料層連接芯片下焊盤或者鍵合線一端，鍵合線另一端連接芯片上焊盤。載體表面及第一金屬焊盤、第二金屬焊盤、焊料層、芯片、鍵合線的四周，設(shè)有第一塑封層，或者載體表面及第一金屬焊盤的四周，設(shè)有第二塑封層、第二塑封層表面及第二金屬焊盤、焊料層、芯片、鍵合線的四周，設(shè)有第一塑封層。第二金屬焊盤直徑大于第一金屬焊盤直徑，或者第二金屬焊盤偏出第一金屬焊盤一側(cè)。本方案解決了引線框架封裝體引腳電極和塑封料在同一平面易虛焊，封裝體切割線導(dǎo)致毛刺，框架變形的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微電子封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種DFN器件的封裝結(jié)構(gòu)及無引線框架載體。

背景技術(shù)

DFN封裝(也叫雙邊扁平無引腳封裝)，是在近幾年隨著通訊及便攜式小型數(shù)碼電子產(chǎn)品的產(chǎn)生而發(fā)展起來的，適用于高頻、小體積、高速度等電性能要求的中小規(guī)模集成電路的封裝。DFN封裝能夠有效的利用引線腳的封裝空間，從而大幅提升了產(chǎn)品的組裝效率并降低了實(shí)際的占用面積。

普通的DFN封裝，通常包括引線框架、芯片、金屬線和塑封料組成。其具體指根據(jù)芯片尺寸及電路連通設(shè)計(jì)框架圖形，通過腐蝕工藝完成框架加工，通過設(shè)備完成芯片貼裝及固化，通過打線完成芯片電極引出后塑封完成整個(gè)器件的加工。

但是，針對(duì)超小型化的器件，如DFN1006(尺寸1.0mm*0.6mm*0.4mm)、DFN0603(尺寸0.6mm*0.3mm*0.3mm)等，采用現(xiàn)有引線框架的封裝結(jié)構(gòu)，存在如下缺陷：

(1)封裝體的引腳電極和塑封料在同一個(gè)平面，不利用器件的整體焊接，容易產(chǎn)生虛焊等缺陷；

(2)封裝體需要切割到引線部分，導(dǎo)致器件的側(cè)面存在部分金屬毛刺，不利于器件的后續(xù)加工；

(3)封裝體受限于引線框架的生產(chǎn)制程，框架本身的厚度，最薄在125μm左右，框架過薄會(huì)存在變形嚴(yán)重，導(dǎo)致合格率低的問題。

鑒于上述存在的問題，實(shí)現(xiàn)無引線框架的封裝結(jié)構(gòu)加工，成為亟待解決的課題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于解決現(xiàn)有引線框架的封裝結(jié)構(gòu)，封裝體的引腳電極和塑封料在同一個(gè)平面，不利用器件的整體焊接，容易產(chǎn)生虛焊，封裝體需要切割到引線部分，導(dǎo)致器件的側(cè)面存在部分金屬毛刺，不利于器件的后續(xù)加工，封裝體受限于引線框架的生產(chǎn)制程，框架過薄會(huì)存在變形嚴(yán)重，導(dǎo)致合格率低，封裝體無法實(shí)現(xiàn)超小型化的問題。其具體解決方案如下：

一種無引線框架載體，包括載體，所述載體由下部的基材層、中部的可剝層和上部的金屬層構(gòu)成，所述基材層為金屬或者無機(jī)或者有機(jī)材料中的任一種，其厚度范圍為0.6mm-2.0mm，所述可剝層為金屬或者有機(jī)材料中的任一種，其厚度范圍為0.1μm-20μm，可剝層位于基材層的表面，所述金屬層為銅或者鎳或者錫中的任一種，其厚度范圍為10μm-30μm，金屬層位于可剝層的表面或者位于可剝層表面以及可剝層和基材層的四周。

進(jìn)一步地，所述基材層為不銹鋼或者玻璃或者環(huán)氧樹脂或者三嗪樹脂中的任一種，基材層的材料剝離后，可重復(fù)再利用。

一種DFN器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括上述一種無引線框架載體，所述載體的表面設(shè)有多個(gè)第一金屬焊盤，第一金屬焊盤的表面設(shè)有第二金屬焊盤，第二金屬焊盤表面設(shè)有焊料層，焊料層連接芯片下焊盤或者鍵合線的一端，鍵合線的另一端連接芯片上焊盤。可選1：載體的表面及第一金屬焊盤、第二金屬焊盤、焊料層、芯片、鍵合線的四周，設(shè)有第一塑封層，或者可選2：載體的表面及第一金屬焊盤的四周，設(shè)有第二塑封層、第二塑封層表面及第二金屬焊盤、焊料層、芯片、鍵合線的四周，設(shè)有第一塑封層。

進(jìn)一步地，所述封裝結(jié)構(gòu)，通過物理方式或者化學(xué)方式，將可剝層、基材層與金屬層進(jìn)行剝離。