[發明專利]一種微小晶片的光刻方法、晶片載片及光刻工裝

在審

• 申請號: 202110295030.X
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113064333A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京智創芯源科技有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/38;H01L21/027;H01L21/68
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王雨

本發明公開了一種微小晶片的光刻方法，通過將待光刻晶片嵌設于晶片載片的裝片卡槽上；其中，所述晶片載片包括與所述裝片卡槽共面設置的對準標記；對所述待光刻晶片進行涂膠并烘烤；根據所述對準標記對經過烘烤的待光刻晶片進行投影曝光；對曝光后的待光刻晶片進行顯影，得到具有圖形化光刻膠層的微小晶片。本發明通過將待光刻晶片嵌設于裝片卡槽中，降低了涂膠中待光刻晶片的邊緣效應，使涂覆于待光刻晶片的光刻膠層的均勻性大大提升，另外，設置于晶片載片上的對準標記為投影曝光步驟提供了對準根據，可使用投影光刻機進行自動對準，大大提高了光刻的對準精度及生產效率。本發明同時還提供了一種具有上述有益效果的晶片載片及光刻工裝。

技術領域

本發明涉及晶片光刻領域，特別是涉及一種微小晶片的光刻方法、晶片載片及光刻工裝。

背景技術

紅外探測器制備工藝部分涉及圓形寶石或陶瓷片(下簡稱晶片)的加工工藝，晶片直徑從數毫米到數十毫米不等，晶片上需要進行相應圖形加工以實現不同的光學或電學效果。而最常用的圖形化處理技術即為光刻技術，光刻涉及針對晶片的涂膠、曝光、顯影等工藝。而晶片圖形化的質量又是影響最終探測器質量的重要因素。

在現有晶片加工過程中，一般采用微小真空吸附孔對晶片直接吸附，然后進行涂膠工藝，由于晶片一般為圓形，因此無明確的參考邊或參考圖形，無法使用投影式光刻機進行對準及光刻，一般利用接觸式光刻方式進行手動對準，不難得知，手動對準對準精度差，容易產生偏移及損失，工藝效率低；另外，由于邊緣效應導致膠層在晶片邊緣位置較大，涂膠均勻性差。

綜上所述，如何提高光刻涂膠的均勻性及對應精度，同時提高生產效率，是本領域技術人員亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種微小晶片的光刻方法、晶片載片及光刻工裝，以解決現有技術中光刻時涂膠均勻性差、對準精度低及生產效率低的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種微小晶片的光刻方法，包括：

將待光刻晶片嵌設于晶片載片的裝片卡槽上；其中，所述晶片載片包括與所述裝片卡槽共面設置的對準標記；

對所述待光刻晶片進行涂膠并烘烤；

根據所述對準標記對經過烘烤的待光刻晶片進行投影曝光；

對曝光后的待光刻晶片進行顯影，得到具有圖形化光刻膠層的微小晶片。

可選地，在所述的微小晶片的光刻方法中，所述晶片載片包括多個所述裝片卡槽；

相應地，所述根據所述對準標記對經過烘烤的待光刻晶片進行投影曝光包括：

根據所述對準標記對經過烘烤的多個待光刻晶片進行步進式投影曝光。

一種晶片載片，所述晶片載片的表面包括裝片卡槽及與所述裝片卡槽共面設置的對準標記；

所述裝片卡槽，用于嵌設待光刻晶片；

所述對準標記，在所述待光刻晶片投影曝光過程中作為定位根據。

可選地，在所述的晶片載片中，所述對準標記設置于所述晶片載片的邊緣及中心。

可選地，在所述的晶片載片中，所述對準標記為十字標記。

可選地，在所述的晶片載片中，所述裝片卡槽的尺寸與所述待光刻晶片的尺寸的差值的范圍為5微米至10微米，包括端點值。

可選地，在所述的晶片載片中，所述裝片卡槽的深度與所述待光刻晶片的厚度的差值的范圍為0微米至30微米，包括端點值。

可選地，在所述的晶片載片中，所述晶片載片為抗腐蝕載片。

可選地，在所述的晶片載片中，所述晶片載片為硅片。