[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921324192.6
• 申請(qǐng)日: 2019-08-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210245538U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡家豪;徐凱;段偉;劉棟;張家豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/20
• 分類號(hào): H01L33/20;H01L33/38
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管，包括襯底、層疊于襯底之上的第一N型層、第一發(fā)光層和第一P型層，以及與分別與第一N型層和第一P型層電性連接的N電極和P電極，所述第一N型層包括未被第一發(fā)光層覆蓋的臺(tái)階部，其特征在于：于所述臺(tái)階部表面設(shè)置環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述N電極插入環(huán)狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，并與第一N型層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)包括依次層疊的第二N型層、第二發(fā)光層和第二P型層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)的頂面與第一P型層的表面齊平。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)至少與N電極接觸的表面設(shè)置絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述絕緣層為二氧化硅層、氮化硅層、碳化硅層、氧化鋁層或硅膠層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二N型層與第一N型層相同，第二發(fā)光層與第一發(fā)光層相同，第二P型層與第一P型層相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一P型層和P電極之間設(shè)置有電流擴(kuò)展層，電流擴(kuò)展層具有第一孔洞，P電極通過(guò)第一孔洞與第一P型層接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一P型層和電流擴(kuò)展層之間設(shè)置有電流阻擋層，電流阻擋層具有第二孔洞，P電極通過(guò)第一孔洞和第二孔洞與第一P型層接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一孔洞的直徑大于第二孔洞的直徑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一P型層、第一N型層以及環(huán)狀結(jié)構(gòu)的表面設(shè)置絕緣保護(hù)層。