[實(shí)用新型]一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921308549.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-13
• 公開（公告）號(hào): CN210273992U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉敬勇;朱衛(wèi)俊;沈得田;李勇;林毅;馬杰;王祥邦;於保偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中電科技德清華瑩電子有限公司
• 主分類號(hào): H03H3/08
• 分類號(hào): H03H3/08;H03H9/02;H03H9/64
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33230
• 代理人: 付建中

1.一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括基片和多層膜結(jié)構(gòu)，所述基片的表面制作有表面波換能器，基片上至少設(shè)置有一個(gè)用于球焊的電極，以及相應(yīng)的焊球，所述多層膜結(jié)構(gòu)包括有機(jī)介質(zhì)膜一和有機(jī)介質(zhì)膜二，基片和多層膜結(jié)構(gòu)之間的組合關(guān)系從下到上依次為基片、制作于基片表面的表面波換能器、有機(jī)介質(zhì)膜一、有機(jī)介質(zhì)膜二，所述有機(jī)介質(zhì)膜一和有機(jī)介質(zhì)膜二上貫穿設(shè)置有與電極對(duì)應(yīng)的通孔，焊球通過(guò)通孔與電極連接，所述有機(jī)介質(zhì)膜一上對(duì)應(yīng)于表面波換能器處設(shè)置有通槽，有機(jī)介質(zhì)膜一與基片重疊時(shí)表面波換能器置于通槽內(nèi)，有機(jī)介質(zhì)膜二的下表面與有機(jī)介質(zhì)膜一的上表面重疊，通過(guò)有機(jī)介質(zhì)膜二的下表面與通槽進(jìn)行上端封閉，通過(guò)有機(jī)介質(zhì)膜二和基片對(duì)通槽進(jìn)行上下兩端封閉形成密封腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的密封腔內(nèi)設(shè)置有多個(gè)隔板，通過(guò)隔板將密封腔分隔為多個(gè)腔體，隔板設(shè)置于沒有表面波有效激發(fā)、傳播和接收區(qū)域的基片表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的基片為壓電單晶晶片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的表面波換能器為聲表面波換能器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的焊球由錫、金或金錫合金制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的有機(jī)介質(zhì)膜一的厚度為10-50μm，有機(jī)介質(zhì)膜二的厚度為10-50μm，所述的有機(jī)介質(zhì)膜一和有機(jī)介質(zhì)膜二均為可光敏有機(jī)介質(zhì)膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的多層膜結(jié)構(gòu)還包括由金屬材料或合金材料構(gòu)成的第三層膜，第三層膜覆蓋設(shè)置在有機(jī)介質(zhì)膜的上表面、以及基片上未被多層膜結(jié)構(gòu)遮蓋的表面處，第三層膜的厚度為0.1-5μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種微型電子器件的整片晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的多層膜結(jié)構(gòu)還包含完全覆蓋第三層膜的第四層介質(zhì)層，第四介質(zhì)層由無(wú)機(jī)非金屬構(gòu)成，第四介質(zhì)層的厚度為0.1-5μm。