[實用新型]一種碳化硅異質結二極管功率器件

有效

• 申請號: 201921298232.4
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN210325811U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 吳昊;佟俊宏;陳然;黃興;陳欣璐
• 申請（專利權）人: 派恩杰半導體（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳化硅異質結二極管功率器件，包括：

第一導電類型的碳化硅半導體本體，從下到上依次包括：第一導電類型高摻襯底區（11）、第一導電類型漂移區（12），沿異質結接觸面的第一導電類型摻雜區（115）以及其中間隔摻雜的注入更深的第二導電類型摻雜區（116），摻雜可變的異質結層（13），其中異質結層與半導體本體一起沿著接觸面構成異質結。

2.根據權利要求1所述的碳化硅異質結二極管功率器件，其特征在于：在異質結接觸面處存在第一導電類型漂移區（12）、至少一個第一導電類型摻雜區（115）和至少一個更深摻雜的第二導電類型摻雜區（116）。

3.根據權利要求1所述的碳化硅異質結二極管功率器件，其特征在于：在異質結接觸面處的第一導電類型摻雜區（115）與第二導電類型摻雜區（116）濃度在1e16~1e19cm-3之間。

4.根據權利要求1所述的碳化硅異質結二極管功率器件，其特征在于：所述第一導電類型摻雜區（115）、第二導電類型摻雜區（116）和異質結層（13）的接觸面設有接觸勢壘，其勢壘高度在0.3eV到2.7eV之間。

5.根據權利要求1所述的碳化硅異質結二極管功率器件，其特征在于：用于構造異質結層（13）的材料可為多晶硅、晶體鍺和石墨烯。

6.根據權利要求1所述的碳化硅異質結二極管功率器件，其特征在于：第一型導電類型為N型摻雜時，第二導電類型為P型摻雜；第一型導電類型為P型摻雜時，第二導電類型為N型摻雜。