[實用新型]拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構

有效

• 申請號: 201921297726.0
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN210245533U
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 孫春明;蘇建;殷方軍;鄭兆河;徐現剛
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/30;H01L33/20;H01L33/44
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 張文杰

1.一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，包括層疊設置的：P面電極(1)、P型限制層(2)、P型波導層(3)、有源層、N型波導層(8)、N型限制層(9)、InP襯底(10)、N面電極(11)，其特征在于：所述有源層包括若干層厚度相異的量子阱層，各層量子阱層之間設置勢壘層。

2.根據權利要求1所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述有源層為AlGaInAs材料有源層，包括四層量子阱層(4、5、6、7)，厚度分別為7nm、7.5nm、8nm、8.5nm，量子阱層采用In_0.76Ga_0.12Al_0.12As材料，量子阱層之間的勢壘層厚度為20nm，勢壘層采用Al_0.31Ga_0.18In_0.51As材料。

3.根據權利要求1所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述P面電極(1)上表面設置脊型條(13)，脊型條(13)作為P側電注入區，所述P面電極(1)上表面、脊型條(13)一側設置光學吸收區(12)，脊型條(13)的長度方向與脊型條(13)靠近光學吸收區(12)側端面的垂線成一銳角。

4.根據權利要求3所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述脊型條(13)的長度方向與脊型條(13)靠近光學吸收區(12)側端面的垂線所成角度為1.3～3°。

5.根據權利要求3所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述脊型條(13)前后腔面上蒸鍍寬光譜增透膜。

6.根據權利要求5所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述寬光譜增透膜的反射率小于2％。

7.根據權利要求5所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述寬光譜增透膜的中心波長位于1550nmm。

8.根據權利要求5所述的一種拓寬超輻射發光二極管光譜寬度的不同寬度多量子阱結構，其特征在于：所述寬光譜增透膜的光譜寬度大于80nm。