[實用新型]一種提高單位面積電流密度的MOSFET結構

有效

• 申請號: 201921288277.3
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN210073865U
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 習毓;丁文華;周新棋;陳騫;單長玲;智晶
• 申請（專利權）人: 西安衛光科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 61200 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 高博

1.一種提高單位面積電流密度的MOSFET結構，其特征在于，包括條形結構的N+襯底(1)，N+襯底(1)上設置有N-外延層(2)，N-外延層(2)上縱向設置有源N+擴散窗口(6)，N-外延層(2)的左右兩側沿源N+擴散窗口(6)的縱向方向分別設置有柵氧化層(3)，每個柵氧化層(3)上依次設置有柵極多晶硅(4)和柵源隔離層(5)，源N+擴散窗口(6)、源P+擴散窗口(7)和接觸孔(8)設置在源極和柵極之間，源N+擴散窗口(6)將源P+擴散窗口(7)分隔成多個方形的元胞結構構成源極，柵極金屬與多晶硅(4)連接構成柵極，漏極金屬與N+襯底(1)連接構成漏極。

2.根據權利要求1所述的提高單位面積電流密度的MOSFET結構，其特征在于，多晶硅(4)的尺寸為4～10μm，厚度為

3.根據權利要求1所述的提高單位面積電流密度的MOSFET結構，其特征在于，源N+擴散窗口(6)為長方形結構，長為1～2μm，寬為0.8～1.5μm。

4.根據權利要求1所述的提高單位面積電流密度的MOSFET結構，其特征在于，源P+擴散窗口(7)為正方形結構，邊長為1～2μm。

5.根據權利要求1所述的提高單位面積電流密度的MOSFET結構，其特征在于，接觸孔(8)為正方形結構，邊長為1～2μm。

6.根據權利要求1所述的提高單位面積電流密度的MOSFET結構，其特征在于，20～40V的MOSFET/VDMOS的單位面積電流密度為6.4～7.2A/mm²；50～200V的MOSFET/VDMOS的單位面積電流密度為1.73～5.8A/mm²；250～600V的MOSFET/VDMOS結構的單位面積電流密度為0.65～1.66A/mm²。