[實用新型]一種MEMS磁傳感器的電連接結構及MEMS磁傳感器有效
| 申請號： | 201921288133.8 | 申請日： | 2019-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN210639270U | 公開（公告）日： | 2020-05-29 |
| 發明（設計）人： | 鄒泉波;曹志強;冷群文 | 申請（專利權）人： | 歌爾科技有限公司;北京航空航天大學青島研究院 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 266104 山東省青島*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 傳感器 連接 結構 | ||
1.一種MEMS磁傳感器的電連接結構，其特征在于：包括襯底以及位于襯底上的磁阻；還包括第一引線部，所述第一引線部位于磁阻的側壁位置并與所述磁阻的側壁接觸在一起，其中所述第一引線部與磁阻側壁的接觸面為傾斜面；所述磁阻的電信號通過第一引線部引出。
2.根據權利要求1所述的電連接結構，其特征在于：在所述襯底與磁阻之間還設置有介電層。
3.根據權利要求2所述的電連接結構，其特征在于：所述介電層為氧化硅。
4.根據權利要求2所述的電連接結構，其特征在于：還包括將第一引線部、磁阻覆蓋在介電層上的鈍化層；所述鈍化層上對應第一引線部的位置設置有通孔，還包括位于鈍化層上的第二引線部，所述第二引線部通過所述通孔與第一引線部導通。
5.根據權利要求4所述的電連接結構，其特征在于：所述鈍化層為氮化硅。
6.根據權利要求1所述的電連接結構，其特征在于：所述磁阻側壁的傾斜面使得所述磁阻從其底面至其頂面的尺寸逐漸變大。
7.根據權利要求1所述的電連接結構，其特征在于：所述磁阻側壁的傾斜面使得所述磁阻從其底面至其頂面的尺寸逐漸變小。
8.根據權利要求1所述的電連接結構，其特征在于：所述磁阻側壁的傾斜面通過離子束刻蝕的方式形成。
9.根據權利要求8所述的電連接結構，其特征在于：所述第一引線部通過剝離的工藝沉積在磁阻的邊緣并與所述磁阻側壁的傾斜面結合在一起。
10.MEMS磁傳感器，其特征在于，包括根據權利要求1至9任一項所述的電連接結構。
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